TC58V64的读操作如图1所示。随着指令，利用节指定读出开始地址，开始进行数据读操作，地址及指令在WE信号的上升沿被锁存。

　　图1 TC58V64的读操作

　　读操作时地址的指定方法如表1所示。给予的数据称为列地址，后面的两个周期中所给予的数据称为页地址。TC58V64的存储器具有1024个块，由于各个块又分割成16个页，所以A22～A13为块号（块地址），A12～A19为块内的页号（块内的NAND地址）。

　　表1 指定地址的方法

 　读指令如果是00h，则A8＝“0”，如果读指令为01h，则A8＝“1”，所以没有指定
 　A8的位。
 　A22～Al13：块地址   
 　A12～A9：块内NAND地址｝页地址
 　A7～A0：列地址

　　这里有意思的是A8没有指定，而1页的大小为528字节，大于512。这样A9就成为了页地址。
 　
　　在此，将一页（528字节）分成256＋256＋16这样的结构（假设称为段）可能更容易理解。根据从一页的哪个段开始读，指令将被分离，读指令具有3个种类（00h，01h，50h）正是因为这个原因。而从各个段中的什么部位开始读是由列地址过渡的。当然，在的16字节的地方，列地址只能取得0～15的值。
 
　　在指令代码为00h，01h的情况下，将从读取开始地址到一页的地址传输数据，一旦到达终的地址，则输出下一页的起始数据。仅当指令代码为50h[读指令(3)]的时候，如果到达页的部分，则由下一页的第512个字节（第3部分）开始输出，而不返回到页的起始。
 
　　这些操作模式如图2、图3、图4所示。

　　图2 顺序读（1）

　　图3 顺序读（2）

　　图4 顺序读（3）

　　如图5所示，当进行读操作时，在指定地址后到读取初数据之间以及到达页的结尾部位后。需要一定的时间返回到下一页的起始部分（顺序读（3）的情况下为第3部分的起始）。这期间Busy信号有效，需要让来自主机的访问等待。这段时间可以认为是内部一页的数据（528字节）传输到页缓冲器上的时间。

　　图5 读操作中的Busy状态

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