DRAM单元的基本结构如图所示，负责数据存储的是图中的电容器，根据是否存储电荷来判断数据的“0”、“1”。图中电容器的一端接地，因为是交流接地，所以不是形成GND电平的意思。电容器的另—端与用于存取开关FET的漏极相连接。

　　图 DRAM的单元

　　读操作时，通过连接于FET栅极的字线，将FET处于ON状态，电容器与数据相连接。由于在电容器与数据线之间发生电荷的移动，数据线的电压发生变化，因此，只要检测出该电压的变化，就可以判定数据（“1”还是“0”）。因为电容器中存储的电荷发生了移动，所以如果进行读操作，其存储的内容就将消失。存取操作的详细过程将在后面说明，像这样因为存取而失去存储状态，亦即破坏性读出也是DRAM的特征之一。虽然在数据读操作之后必须恢复同一数据，但该操作是DRAM内部自动进行的，通常不必特别在意。

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