DRAM

DRAM简介

什么是DRAM?  内存是计算机操作的基础。与CPU结合使用时,可以运行一组指令(程序)和存储工作数据的能力。随机访问内存(RAM)是一种众所周知的内存类型,由于其能够访问记忆中的任何位置,并大致相同的时间延迟...

时间:2025-03-06 阅读:158 关键词:DRAM

SDRAM、SRAM与DRAM这几种内存的区别是什么

SDRAM(Synchronous DRAM)、SRAM(Static RAM)和DRAM(Dynamic RAM)是三种常见的计算机内存类型,它们在结构、速度、成本和应用等方面有不同的特点。下面是它们之间的主要区别:1. SDRAM (Synchronous Dynamic Ra...

时间:2025-02-18 阅读:250 关键词:SDRAMSRAMDRAM

用于节能和节省面积的模拟内存计算的 DRAM

机器学习可实现图像分类和语言建模等数据密集型任务,许多新应用由此诞生。  机器学习过程分为两个阶段。首先是训练阶段,通过将信息存储并标记到权重中来开发智能——这...

时间:2024-07-22 阅读:300 关键词:DRAM

SDRAM工作原理_SDRAM布局布线说明

SDRAM(Synchronous Dynamic Random-Access Memory)是一种广泛用于计算机系统中的随机存取存储器,它的工作原理涉及到数据的存储和读写过程。以下是SDRAM的基本工作原理:  同步性:  SDRAM是同步存储器,其操...

时间:2024-05-31 阅读:404 关键词:SDRAM

什么是DRAM?DRAM存储单元原理

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种内存芯片,用于计算机系统中作为主存储器使用。它是一种易失性存储器,意味着当断电时,其中的数据会丢失。DRAM通常以集成电路芯片的形式存在,用于...

时间:2024-02-26 阅读:545 关键词:DRAM

DRAM(动态随机存取存储器)简介

什么是 DRAM?  内存是计算机运行的基础。当与 CPU 结合使用时,可以运行指令集(程序)并存储工作数据。随机存取存储器(RAM)是一种众所周知的存储器类型,之所以如此称呼是因为它能够以大致相同的时间延迟访问...

时间:2023-12-07 阅读:933 关键词:DRAM

使用新的 DRAM 进步来提高嵌入式系统的性能

对于主流内存,这条路已经规划好了,也走过了。从快速页面 (FP) 模式和扩展数据输出 (EDO) 到 SDR、DDR 和 DDR2,演变带来了先进的架构、更快的速度、更高的密度和带宽,以及更低的电源电压和功耗。这些重大进步共同...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2023-04-03 阅读:1541 关键词: DRAM

Crucial英睿达:不同DRAM可否混搭?

电脑 DIY 用户常会遇到一种情况:想换新的DRAM模块,但可能还有另外一块 DRAM,担心两块互不兼容。那么,不同世代、不同速度、延时、电压或制造商的DRAM能否混合搭配起来使用呢? 的内存制造商之一Micron美光旗...

分类:家电/消费电子 时间:2021-01-29 阅读:8846 关键词:Crucial英睿达:不同DRAM可否混搭?RAM

基于EPLD器件MAX7256ATC144-6简化任意波形发生器SDRAM控制器的设计

任意波形发生器在雷达、通信领域中发挥着重要作用,但目前任意波形发生器大多使用静态存储器。这使得在任意波形发生器工作频率不断提高的情况下,波形的存储深度很难做得很...

分类:通信与网络 时间:2020-05-19 阅读:484 关键词:基于EPLD器件MAX7256ATC144-6简化任意波形发生器SDRAM控制器的设计SDRAM控制器

基于DDR DRAM控制器实现MPMA存取输入/输出端口的设计

1、引言  随着信息时代的到来,各种信息的集成和交互越来越频繁。运动控制系统中需要处理和存储的信息量也与日俱增,大部分运动控制系统的器件MCU自身已经集成了较大容量...

分类:元器件应用 时间:2020-05-19 阅读:547 关键词:基于DDR DRAM控制器实现MPMA存取输入/输出端口的设计 DRAM控制器,MPMA

漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别

从20nm技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可...

分类:元器件应用 时间:2020-04-23 阅读:806 关键词:漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别DRAM

SDRAM的布线规则 基于Allegro嵌入式高速电路布线设计

随着嵌入式微处理器主频的不断提高,信号的传输处理速度越来越快,当系统时钟频率达到100MHZ以上,传统的电路设计方法和软件已无法满足高速电路设计的要求。在高速电路设计...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2019-04-15 阅读:1046 关键词:SDRAM的布线规则 基于Allegro嵌入式高速电路布线设计Allegro嵌入式

高云半导体推出两款集成大容量DRAM的FPGA芯片

广东高云半导体科技股份有限公司(以下简称“高云半导体”)今日宣布,高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片,分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48,其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低...

时间:2019-01-19 阅读:1122 关键词:高云半导体推出两款集成大容量DRAM的FPGA芯片半导体

利用CPLD技术和80C196XL时序特征实现DRAM控制器的设计

0C186XL16位嵌入式微处理器[1]是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内,集成有DRAM RCU单元,即DRAM刷新控制单元。RCU单元可以自动...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2019-01-08 阅读:186 关键词:利用CPLD技术和80C196XL时序特征实现DRAM控制器的设计DRAM控制器

高云半导体推出小尺寸集成大容量DRAM的FPGA

今日宣布,高云半导体小蜜蜂家族新增两款集成大容量DRAM的FPGA芯片,分别是GW1NR-LV4MG81 与 GW1NSR-LX2CQN48,其设计的初衷是实现低功率、小封装尺寸和低成本等特性。   随着边缘计算的兴起,相应芯片的市场需求...

时间:2018-09-17 阅读:532 关键词:高云半导体推出小尺寸集成大容量DRAM的FPGADRAM

ARM开发步步深入之SDRAM编程示例

实验目的:改变“点灯大法”的执行地点,从NandFlash的Steppingstone转到SDRAM中执行,借此掌握存储控制器的使用。   实 验环境及说明:恒颐S3C2410开发板H2410。H2410板扩展有64MB的SDRAM,用于设置程序堆栈和存...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2018-08-30 阅读:89 关键词:ARM开发步步深入之SDRAM编程示例ARM

微控制单元器MCU、ARM及SDRAM简介

它是美国爱荷华州立大学的约翰·文森特·阿塔纳索夫(John Vincent Atanasoff)教授和他的研究生克利福特·贝瑞(Clifford Berry)在1937年设计的。   遗憾的是当时仅仅用于求解线性方程组,也没有申请专利,爱荷...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2018-08-03 阅读:936 关键词:微控制单元器MCU、ARM及SDRAM简介ARM,SDRAM

为什么2440与SDRAM地址线错两位相连?

为什么2440与SDRAM地址线错两位相连?  网上说,错两位是为了32位对齐(地址为8位数据地址,2440位宽为32,错两位,一次跳4byte)。  下面是听南方大哥的教程时记录的:  由于两个内存合起来“数据位宽”是32...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2018-07-24 阅读:821 关键词:2440,SDRAM,地址线

S3C2440 SDRAM寄存器初始化设置

板子是s3c2440,使用两片容量为32MB、位宽16bit的EM63A165TS-6G芯片拼成容量为64M、32bit的SDRAM存储器。根据2410datasheet,要使用SDRAM需配置13个寄存器,以下逐个来看:   1、 BWSCON:Bus width & wait ...

分类:元器件应用 时间:2018-07-23 阅读:138 关键词:S3C2440,,SDRAM,寄存器,初始化设置

ARM外设flash及SDRAM的地址连接

先提一下位宽的概念,对于具体器件而言,它的位宽是一定的,所谓位宽,指的是“读/写操作时,最小的数据单元”──别说最小单元是“位”,一般设备上没有单独的“位操作”,修改位时通过把整个字节、字或双字读出来...

分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2018-07-23 阅读:609 关键词:ARM,外设flash,SDRAM,地址连接

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