从电学结构分，可分为

　　（1）PIN结构：通过PIN^［15］结构的正偏或反偏来实现载流子的注入或耗尽。其特点是制作工艺较简单，集成度差，响应频率较低，从几百kHz到几MHz。如果截面做得小，则调制频率可达几十兆赫兹甚至更高。其结构如图1所示。

　　图1   PIN结构调制臂截面

　　（2）双极场效应管结构^［16］（BMFET）：通过对端电压的控制来实现载流子的注入或耗尽。工艺较PIN复杂，响应频率较高，从几MHz到几十MHz。其截面示意如图2所示。

图2  BMFET结构调制器调制臂截面示意图 

　　（3）金属－氧化物－半导体结构^［17］（MOS）：通过对栅电压的控制来实现载流子的注入或耗尽。制作工艺较复杂，器件尺寸较长，厘米量级，偏振相关性较大。调制频率高，超过16Hz。其截面示意图如图3所示。

图3 MOS结构调制器调制臂截面

　　欢迎转载，信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）