Infineon推出带有GaAs性能的CMOS RF开关BGS12A
出处:尤新亮 发布于:2008-02-19 14:46:43
Infineon开始量产首款RF开关,其硅晶片采用CMOS工艺制造,可以提供与GaAs工艺制造的RF开关相当的性能,实现了技术上的突破。到目前为止,为达到GaAs开关的性能,基于CMOS的RF开关需要采用专用的价格高很多的蓝宝石晶圆制造全新系列的款CMOS RF开关BGS12A采用细间距WLP封装,尺寸仅仅为0.79mm x 0.54mm,与市面上封装的GaAs RF开关相比,可节约60%的电路板尺寸。在很多无线产品如手机、WLAN、WiMAX、GPS导航系统、蓝牙配件或远程无线钥匙等,RF开关典型的用于实现接收和发送数据(Rx/Tx)、频带选择或天线差分应用的交换功能,还可以在全世界漫游。一般来说,典型的移动设备都会安装一个RF开关。然而,一些多频带多模式手机则会安装多达4个RF开关。
新款Infineon RF开关采用独特的RF CMOS工艺制造,结合了具有杰出RF性能的CMOS优点,如地插入损耗,低谐波失真,良好的隔离以及高功率级。CMOS固有的优点包括高集成能力,有成本效率以及优越的静电放电(ESD)强健性。与现有解决方案相比,基于CMOS的RF开关具有的集成能力,比GaAs器件更便宜,而且由于电流消耗显著降低,因此具有比PIN二极管更长的电池寿命。Infineon的RF开关都不需要外部DC隔离电容,并且集成了完备的控制逻辑。CMOS兼容的逻辑电平(1.4 V到2.8 V)使得无需使用外部电平转换器。
BGS12A是Infineon新的基于CMOS RF开关系列的款产品。它是一个通用单刀双掷(SPDT)RF开关,为功率级高于20 dBm、P -1dB大于30 dBm所设计。新款RF开关具有高RF性能,当频率为1.0 GHz时其插入损耗仅仅0.3 dB,低谐波失真,良好的隔离(1.0 GHz时为34 dB),小于4?s的快速转换时间。接口可以承受1.5 kV HBM ESD,从而提供了移动设备模块制造商的产量并且达到了所需的ESD级别。BGS12A非常适用于高达3 GHz的低和中等功率应用。
BGS12A已经开始量产。
1,000片量时单价为USD 0.70。
详情请访问:www.infineon.com.cn/
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