变容二极管的结构及特性
出处:highend 发布于:2008-04-23 10:44:14
变容二极管的伏安特性曲线和普通二极管一样,不同的是它工作在反向偏置区,为反偏压二极管,其结电容就是耗尽层的电容,因此可以把耗尽层看做两个导电板之间有介质的平行板电容器。结电容的大小与反向偏压的大小有关,反向偏压越大,结电容越小;反之,结电容越大。变容二极管的等效电路相当于一个可变电容器与电阻器和电感串联,如图一所示。
图一 变容二极管电容的形成及等效电路
等效电路中的龟为可变结电容,它可以近似看成为变容二极管的总电容,它包括结电容、外壳电容及其他分布电容;Rs,为串联电阻,它包括PN结电阻、引线电阻及接线电阻;Ls为引线电感。Cj,Rs及Ls都是反向偏压的函数,其中Cj与反向偏压Vd的关系正是我们要使用的变容关系,通常可用下式表示:
式中: C0--零偏压时的PN结电容 Vd--反向偏压 V0--接触电位,硅变容二极管为0.50~0.75V
图二为变容二极管PN结电容特性曲线,结电容与反向偏压的这种关系是非线性的。为了克服非线性,在应用时往往要采用校正网络、高偏压及多回路等措施。
图二 变容二极管电容特性曲线
一般二极管的结电容部很小,由于变容二极管的结构特殊,它的可变结电容很大,可像电容器一样在电路中使用。
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