光敏晶体管的主要参数
出处：leichunlin 发布于：2008-04-09 09:35:52
1)暗电流ＩD，无光照射时，光敏晶体管发射极E与集电极C之间的漏电流(流过集电极的反向电流)此值越小越好。
2)光电流ＩL，当管子受到光照射时，光敏晶体管的集电极电流，此值越大说明光敏晶体管的灵敏度
越高。
3)响应时间，光敏晶体管对人射光信号的反应速度，一般为10的负三次方--10的负七次方。
4)工作电压U(CEO)，无光照射时，集电极电流为规定值时，集电极与发射极司允许加的电压值。
2)光电流ＩL，当管子受到光照射时，光敏晶体管的集电极电流，此值越大说明光敏晶体管的灵敏度
越高。
3)响应时间，光敏晶体管对人射光信号的反应速度，一般为10的负三次方--10的负七次方。
4)工作电压U(CEO)，无光照射时，集电极电流为规定值时，集电极与发射极司允许加的电压值。
关键词：光敏晶体管的主要参数
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