功率MOSFET应用于开关电源时应注意以下几个问题。

　　（1）栅极电路的阻抗非常高，易翼静电损坏。

　　（2）直流输入阻抗高，但输入容量大，高频时输入阻抗低，因此，需要降低驱动电路阻抗。

　　（3）并联工作时容易产生高频振荡。

　　（4）导通时电流冲击大，易产生过电流。

　　（5）很多情况下，不能原封不动地用于双极型晶体管的自激振荡电路。

　　（6）寄生二极管的反向恢复时间长，很多情况下与场效应晶体管开关速度不平衡。

　　（7）开关速度快而产生噪声，容易使驱动电路误动作，特别是开关方式为桥接电路、栅极电路的电源为浮置时，易发生这种故障。

　　（8）漏极－栅极间电容极大，漏极电压变化容易影响输入。

　　（9）加有负反馈，热稳定性也比双极型晶体管好，但用于电流值较小情况下不能获得这种效果。

　　（10）理论上没有电流集中而产生二次击穿，但寄生晶体管因du／dt受到损坏，从而场效应晶体管也受到损坏。