安华高科技宣布，推出可以带来卓越性能的新微型化紧凑型高度集成GPS低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier)产品，Avago的ALM-1812在一个微型化紧凑封装中集成一个低噪声放大器以及前置和后置高抑制滤波器，带来可以有效简化各种广泛GPS手机应用设计的完整、紧凑且高性能GPS射频前端模块产品。

　　Avago高度集成的ALM-1812低噪声放大器主要面向1.575 GHz频带设计，并采用4.5×2.2×1.0mm微型化MCOB封装，和分立式解决方案比较，可以节省印刷电路板占用空间达50%以上，集成FBAR滤波功能更使得ALM-1812可以达到超过90dBc的Cell/PCS频带抑制能力。这个GPS低噪声滤波器有效利用了Avago的0.25μm GaAs增强模式pHEMT工艺技术，可以在2.7V和6mA的典型工作条件下带来1.66dB的噪声指数、18.5dB的增益和+2dBm的输入三阶截点(IIP3, Input Third Order Intercept Point)。

　　同步GPS(S-GPS)和其他适地性(location-based) GPS服务都需要较好的接收器灵敏度，Avago的ALM-1812拥有非常低的噪声指数和高线性度，有助于大幅度改善GPS应用的灵敏度，另外，内置的FBAR滤波器更在Cell/PCS和WiFi/Bluetooth频带提供卓越的抑制能力，使得它成为改善手机中S-GPS工作时GPS接收器性能的理想选择。ALM-1812并在射频输入引脚内置分流电感来增强ESD保护，通过在GPS低噪声放大器上集成前置和后置高抑制薄膜腔声谐振(FBAR, Film Bulk Acoustic resonator)滤波器，高效的ALM-1812可以有效简化并缩短射频设计程序、节省使用器件数，并带来GPS应用上非常关键的卓越射频性能输出。

　　功能特点

　　1.66dB超低噪声指数

　　FBAR滤波器带来卓越的Cell/PCS频带抑制能力，增强S-GPS手机的GPS性能

　　内置分流电感增强ESD保护

　　微型化封装尺寸可以节省电路板占用空间和使用器件数

　　采用先进GaAs E-pHEMT和FBAR技术

　　采无卤素材料设计

　　采用Pb-Free环保无铅设计并符合RoHS标准要求

　　ALM-1812高抑制GPS高增益低噪声放大器(LNA)目前已经可以通过Avago的直接销售渠道和分销网络提供样片并正式批量供货。