Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5 matrix emitter Bipolar process)。

　　这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1×1.4毫米，离版高度为0.5毫米，有助于设计出极其纤巧的便携式产品，还可改善产品的电性能及热特性。

　　这些微型晶体管适用于MOSFET和IGBT栅极驱动、DC/DC转换及一般开关工作，比体积更大的SOT23封装元件更能节省空间，并体现尽善尽美的热性能，其在占位面积的FR-4 PCB上的额定耗散功率仅为0.38W。

　　双极器件的特点包括高增益、低饱和度及快速开关，并具有极高的连续电流处理能力。NPN和PNP器件的额定集电极电流分别为1.5A和–1.25A，超过目前所有封装体积更小的器件。