电力电子的快速发展得益于宽禁带（WBG）半导体材料的发展，尤其是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）。这些材料与传统硅相比具有优越的性能，包括更高的击穿电压、更高的热导率...
使用5V门驱动器，可用的最大电阻值为1.2、4.8、8或12MΩ，请参见下表 - 操作最高为125°C。包装是VQFN16，WLCSP22，WLCSP16或WLCSP12。 该公司称，他们“支持移动设备和笔记本电脑中的过电压保护，负载开关和电池...
晶体管开关对于低直流开/关的转换中的电子设备至关重要， 在其截止状态或饱和状态下晶体管的操作。某些电子设备（例如LED）需要几毫安的电源，并且可以由逻辑门输出驱动。...
时间：2025-03-17 阅读：406
由于GAN的高开关速度，寄生电感 与老化功率MOSFET相比，在较高的频率下使用GAN的能力使寄生电感在功率转化电路中的降解作用焦点[1]。这种电感阻碍了GAN额外的开关功能的...
单结晶体管（Unijunction Transistor，简称UJT）是一种具有单一PN结的半导体器件，通常用于振荡器电路和脉冲电路中。它与传统的双极型晶体管（如NPN或PNP型晶体管）不同，只有一个PN结。UJT在结构上只有三个引脚：一...
分类：基础电子 时间：2025-02-17 阅读：210
过电压从何而来？ 罪魁祸首很清楚，很容易识别：它是寄生电感 L渗漏，在传输时间内不会通过续流二极管 D2 消磁。其中储存的能量（1/2 升渗漏我2） 转移到现有的寄生电容...
双向双极结型晶体管 (B-TRAN) 是功率半导体的一种新拓扑，具有垂直对称、三层、四端子结构，允许独特的操作方法，包括在任一方向上具有非常低的导通状态高电流密度下的电压...
您可能很清楚，现代电气工程乃至整个现代世界都与晶体管设备有着千丝万缕的联系。这些组件既充当开关又充当放大器。尽管场效应晶体管目前在电子领域占据主导地位，但最初的晶体管是双极晶体管，并且很快第一个双极结...
许多电子系统需要计时机制。这通常是通过时钟信号来完成的，时钟信号是特定频率的方波。对于许多应用，时钟信号是通过方波振荡器在系统内生成的。然而，该方波信号也可以作...
标准 CMOS 多路复用器 在某种程度上，PTL 带来高效的多路复用器并不奇怪。复用与基本布尔函数不同。当我们处理 AND、OR、NOT 等时，我们使用逻辑门来实现逻辑函数。这是...
时间：2024-12-05 阅读：319 关键词：晶体管
在我们关于 VLSI 中晶体管尺寸的系列的延续中，我们将讨论我们系列中的第三个也是最后一个模型，即线性延迟模型。如果您想了解线性 RC 延迟模型 和流行的Elmore 延迟模型，...
时间：2024-11-29 阅读：556 关键词：晶体管
电子管音箱和晶体管音箱的区别主要体现在音频放大技术、音质特性、功率效率、维护要求等方面。具体来说，二者的差异可以从以下几个方面来理解： 1. 工作原理 电子管音箱（真空管音箱）： 电子管音箱采用电...
分类：元器件应用 时间：2024-11-28 阅读：388 关键词：电子管音箱,晶体管音箱
开关晶体管上的过压是最常见的故障原因。尽管今天的 MOSFET 比早期的双极晶体管要坚固得多，但这一点在过去 25 年里没有改变。许多 MOSFET 都有雪崩能量额定值。如果发生过...
PLC（可编程逻辑控制器）晶体管输出是一种电子开关，用于控制外部负载的通断。PLC通常通过继电器或晶体管输出模块将控制信号转化为高电流输出，以驱动各种外部设备（如电机、灯光、电磁阀等）。在现代PLC系统中，晶...
分类：EDA/PLD/PLC 时间：2024-11-13 阅读：561 关键词：PLC
1. 类型和结构 TIP41C（NPN 型）： 在电路中，NPN 型晶体管的基极（B）控制从集电极（C）到发射极（E）的电流流动。通常，当基极有足够的电流时，集电极到发射极的通路是导通的。 TIP42C（PNP 型）： PN...
分类：元器件应用 时间：2024-11-04 阅读：466 关键词：TIP41C,TIP42C
碳化硅元件 与 GaN 相比，SiC 拥有超过 15 年的二极管实际制造和应用经验以及超过 10 年的晶体管实际制造和应用经验。 SiC JFET 和共源共栅构成了坚实的技术，SiC 增强...
晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和区域，而粉红色阴影区域表示截止区域。 图 1. 晶体管工作区域。图片由 Simon Munyua Mugo 提供 这...
请注意，单结晶体管的符号看起来与结型场效应晶体管或 JFET 的符号非常相似，只是它有一个代表发射极 ( E ) 输入的弯曲箭头。虽然 JFET 和 UJT 的欧姆通道相似，但其工作方式却截然不同，不应混淆。 那么它是如...
当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时，晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高，漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此，驱动器在跨越线性...
