晶体管是一种半导体器件，用于放大电信号、作为开关以及其他电路应用。晶体管有多种类型，包括晶体管的主要种类如下： 双极型晶体管（双极型BJT晶体管）： 双极型晶体管具有三个区域：发射极、基极和集电极。根据...
半导体生产厂的谏早电子开发出成对晶体管「RT3A66M」、「RT3C66M」。 本产品的封装内, 装有两个相等hFE值的元件。因此, 温度变化已做成的电流值差距会变小。令差分放大电路、电流镜电路也可以适用。 内部线路...
了解场效应晶体管的原理和操作。 晶体管是当今电子电路中必不可少的半导体器件。它们可以执行两个主要功能。首先，作为它们的真空管前身，三极管，它们可以放大电信号。...
关于PNP晶体管特定情况下电流和电压符号的约定，让我们看一下图 1 所示的图表。 图 1：共基极配置的PNP晶体管 传统上，假设I E > 0，我们必然有I C、 I B <...
从晶体管的物理结构出发，考虑发射结和集电结电容的影响，就可以得到在高频信号作用下的物理模型，称为混合π模型。由于晶体管的混合π模型与第2章所介绍的 h参数等效模型...
晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之为双极型晶体管(BJΓ),又称半导体三极管，以下简称晶体管。 图1.3.1所示为晶体管的几种常见外形。 图(a...
晶体管类型及结构 1.3.1 晶体管的结构及类型 根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成晶体管。采用平面工艺制成的 NPN型硅材料...
GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行，但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。G...
处理传感器电路输出信号的电路或计算公式必须生成传感器响应的反函数。例如，如果传感器响应是对数函数，则线性化部分的响应必须是指数的。 这项工作首先获取传感器响应...
如果我们尝试将pn结焊接到np结，我们会得到如图 1 所示的器件，其中字母 E、B 和 C 分别表示发射极、基极和集电极。这些是分配给三个区域p、n、p的名称。 这样我们就创...
在本文中，我们将了解各种晶体管的符号。 相关信息 AAC教材中逻辑门、锁存器和触发器的符号 双极结型晶体管的符号 什么是 BJT？ 双极结型晶体管 (BJT) 由三层半导体材料组成。它们可以排列为 NPN 或P...
分类：元器件应用 时间：2023-11-08 阅读：0
对于使用过功率 MOSFET 的电源系统设计师来说，升级到增强型 GaN 晶体管非常简单。基本操作特性非常相似，但在高效设计中需要考虑一些特性，以便从这种新一代设备中获得最大利益。 对于使用过功率 MOSFET 的电源...
微型自感晶体管恒温器使用单个晶体管（BJT 或 FET）充当温度传感器和稳定加热器。这些晶体管恒温器（如果设计良好）是一种有效、高效且廉价的方法，可维持单个组件（传感器...
本应用笔记介绍了 ISL73096RH/ISL73127RH/ISL73128RH 晶体管阵列，并重点介绍了采用这些特色晶体管阵列设计射频放大器。本笔记提供了匹配（800 MHz 至 2500 MHz）高增益低...
分类：电源技术 时间：2023-08-23 阅读：1051 关键词：ISL73xxxRH
组装精密温度控制系统通常会带来两个特殊的设计挑战： 准确且经济高效地感测要控制的温度。 通过控制电路闭合温度传感器与热源和/或冷却源之间的反馈回路，包括高增...
分类：传感技术 时间：2023-08-21 阅读：285
GaN 功率晶体管具有高跨导和宽带宽，可实现非常快速的开关转换，即使在硬开关应用中也能实现极低的损耗。然而，快速开关和随后的高 di/dt 和 dv/dt 可能对主 GaN 功率晶体...
时间：2023-08-10 阅读：519 关键词：GaN 晶体管
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能领先地位，并扩大了其突破性...
图 1 所示的 Science Fair 150 合 1 电子项目套件页面中的电路将稍作修改。将使用无焊面包板和现代电子元件来讨论和说明经典电路。此外，还将使用 Multisim Live 和 Autode...
分类：光电显示/LED照明 时间：2023-07-11 阅读：1287
