富士通电子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出业内密度8Mbit ReRAM（注１）---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体（Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.）（注2）合作开发，将于今年9月开始供货。MB85AS8MT是采用SPI接口并与带电可擦可编程只读存储器 （EEPROM） 兼容的非挥发性内存，能在1.6至3.6伏特之间的广泛电压范围运作。其一大特色是极低的平均电流，在5MHz工作频率下仅需0.15mA读取数据，这让需透过电池供电且经常读取数据的装置能达到功耗。MB85AS8MT采用极小的晶圆级封装 （WL-CSP），所以非常适用于需电池供电的小型穿戴装置，包括助听器、智能手表及智能手环等。
　　　富士通电子提供各种铁电随机存取内存 （FRAM）（注3） 产品，能提供比EEPROM与闪存更高的耐写次数与更快的写入速度。富士通电子的FRAM产品以的非挥发性内存闻名，尤其是需要非常频繁记录及保护写入的数据以避免突然断电时导致数据遗失。但同时，也有些客户提出需要较低电流读取运作的内存，因为他们的应用仅需少量的写入次数，却极频繁地读取数据。
　　为满足此需求，富士通电子特别开发出新型态的非挥发性ReRAM内存“MB85AS8MT”，兼具“高密度位存取”及“低读取电流”的特色。其为密度的8Mbit ReRAM量产产品，采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的广泛电压，且包含指令与时序在内的电气规格都兼容于EEPROM产品。
　　“MB85AS8MT”的特色在于即使拥有超高密度，仍能达到极小的平均读取电流。例如，在5MHz的工作频率下，平均读取电流为0.15mA，仅相当于高密度EEPROM器件所需电流的5%。
　　因此，在需要透过电池供电的产品中，像是特定程序读取或设定数据读取这类需要频繁读取数据的应用中，透过此内存的超低读取电流特性，该产品即能大幅降低电池的耗电量。
　　在5MHz的工作频率下，
　　MB85AS8MT的平均读取电流仅为高密度EEPROM器件的5%
　　除了提供与EEPROM兼容的8针脚小外形封装 （SOP） 外，还可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSP，适用于装设在小型穿戴装置中。
　　　MB85AS8MT也可提供2mm x 3mm的超小型11针脚WL-CSP
　　高密度内存与低功耗的MB85AS8MT采用极小封装规格，成为适合用于需以电池供电的小型穿戴装置的内存，例如助听器、智能手表及智能手环等。
　　富士通电子将持续致力研发内存，支持客户对各种特殊应用的需求。