N沟道耗尽型功率MOSFET的电路应用
出处:eeweb 发布于:2021-05-27 13:56:40
电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET,当栅极至源极电压为零时,该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS 的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势,以帮助设计人员在许多工业应用中选择这些器件。
图1 N沟道耗尽型功率MOSFET
N沟道耗尽型功率MOSFET的电路符号在图1中给出。端子标记为G(栅极),S(源极)和D(漏极)。IXYS耗尽型功率MOSFET具有称为垂直双扩散MOSFET或DMOSFET的结构,与市场上的其他耗尽型功率MOSFET(例如高VDSX,大电流和高正向偏置安全工作区(FBSOA))相比,具有更好的性能。 )。
图2显示了典型的漏极电流(ID)与漏极至源极电压(V DS)特性(称为输出特性)的关系。它与N通道增强模式功率MOSFET的曲线图相似,不同之处在于它的VGS电流线为-2 V,-1 V和0V。
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图2 N沟道耗尽型功率MOSFET的输出特性
导通状态漏极电流ID(on)是数据手册中定义的参数,是当栅极至源极之间以特定的漏极至源极电压(VDS)在漏极与源极之间流动的电流电压(VGS)为零(或短路)。通过施加正栅极-源极(VGS)电压,该器件可提高电流传导水平。另一方面,负栅极至源极(VGS)电压会减小漏极电流。如图2所示,该器件在VGS = -3V时停止传导漏极电流。此-3V称为器件的栅极至源极截止电压或阈值电压(VGS(off))。为了确保正确导通,施加的栅极-源极(VGS)电压应接近0V,并且要正确截止,应施加比截止电压(VGS(off))更多的负VGS电压。从理论上讲
注意,公式(1)是一个理论公式,在大多数情况下,它不会估算出漏极电流的准确值。VGS(off)的范围为-4 V至-2 V,ID(on)取决于VGS(off)和温度。
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