功率MOSFET是最常见的功率半导体,主要原因是因为其栅极驱动需要的功率小、以及快速的切换速度,使其成为电机驱动时最常用的功率半导体。本文将为您简介功率MOSFET的技术特性,以及由安森美(onsemi)推出的NTBLS1D5...
在线性模式供电的电子系统中,功率 MOSFET器件被广泛用作压控电阻器,电磁干扰 (EMI) 和系统总体成本是功率MOSFET的优势所在。 在线性模式工作时,MOSFET必须在恶劣工作条件下工作,承受很高的漏极电流(ID)和漏源...
功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型。 由于相应理论技术文...
Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路
器件专门用于标准栅极驱动电路,栅极电荷低至22.5 nC,QOSS为34.2 nC,采用PowerPAK? 1212-8S封装。 宾夕法尼亚、MALVERN—2019年8月12日 — 日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推...
时间:2019-08-13 阅读:1067 关键词:MOSFET
英飞凌推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005
2015年12月11日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大其200 V驱动IC产品阵容,推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)...
分类:嵌入式系统/ARM技术 时间:2015-12-15 阅读:2130 关键词:IGBTMOSFEMOSFET功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET双功率MOSFET,藉以扩充电源模块组件系列。新款25V器件在25A的电流下能够比其它的传统电源模...