ower Integrations推出600V Qspeed二极管可替代汽车应用中的SiC元件
出处:中电网 发布于:2021-08-09 15:56:05
PI通过AEC-Q100 的 新Qspeed二极管具有所有600V硅二极管中 低的反向恢复电荷(Qrr)。QH12TZ600Q二极管扩充了我们的汽车级二极管产品阵容,具有与碳化硅(SiC)器件相同的低开关损耗性能,但并不会增加成本。
汽车车载充电器应用需要更高的开关频率以减小体积和重量。我们的QH12TZ600Q二极管在25°C时的Qrr仅为14nC(只占其他同类硅二极管Qrr的一半)。该二极管可提高车载充电器功率因数校正(PFC)级的效率,同时显著降低PFC MOSFET的温升。
与我们其他的Qspeed二极管一样,QH12TZ600Q采用混合PiN-Schottky二极管技术来实现高性能。其平滑的反向恢复电流转换特性不仅提高了效率,还降低了EMI和峰值反向电压应力,在用作输出整流管时无需使用缓冲电路。
QH12TZ600Q采用紧凑的2.5kV隔离式TO-220封装,可直接安装到金属散热片上,有利于实现出色的温升性能表现。它们可用作单个或交错的连续导通模式(CCM) PFC升压二极管或车载充电器的输出整流二极管。
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