Nexperia推出一系列A-selection齐纳二极管,可提供高精度基准电压,拥有业内极低的±1%容差

出处:厂商供稿 发布于:2022-06-23 17:04:07

  

     基础半导体元器件领域的高产能生产Nexperia(安世半导体)今天宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%,相比B(±2%)和C(±5%)版本,可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求,也可以支持Q产品组合器件。
    “Nexperia的A-selection齐纳二极管涵盖从2.4V至75V的各种应用,提供高精度、低容差基准电压,”Nexperia产品经理Paula Stümer介绍,“如果向栅极-源极路径或漏极-栅极路径施加极限电压,或从更多种类的合适的MOSFET中进行选择,用具有焊盘兼容性的A-selection齐纳二极管代替B-或C-selection,工程师可以将MOSFET的性能发挥到。”
    A-selection齐纳二极管的正常工作电压范围为2.4V至75V(E24范围)。这些器件的非重复反向峰值功耗≤40W,总功耗≤250mW,差分热阻低。低容差可提供更高精度的电压,对应用的测试与测量尤其关键,可帮助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护MOSFET,另一种替代方案更为经济,即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。齐纳二极管被击穿后,MOSFET随即导通,防止漏极-源极发生雪崩击穿。
    A-selection齐纳二极管还可用于Q产品组合器件,符合AEC-Q101和ISO/TS16949汽车质量标准。这些标准的重点是满足汽车原始设备制造商的压力测试资格,以及质量管理体系的要求。与此同时,客户的需求不断发展,越来越多的非汽车应用需要额外的质量相关服务,例如生产零件批准过程(PPAP)和更长的供货计划。此类标准器件和Q产品组合器件的另一个不同之处是产品变更通知(PCN)的期限,根据JEDEC的要求,期限从90天延长至180天。此外,所有部件的供货计划至少为10年,保质期超过两年。

关键词:齐纳二极管

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