使用发光二极管教程
出处:维库电子市场网 发布于:2023-02-01 15:48:37
发光二极管 (LED) 通常用作指示器。它可以在电源打开时显示,作为警告指示器,或成为时尚首饰的一部分等。它需要从直流电源供电,阳极正极和阴极负极,如图所示。
要计算串联电阻的值,我们需要知道二极管的正向电压和电流及其连接。必要的数据可以从目录或数据手册中获得。在我们的示例中,它是 2 伏和 20 毫安(0.02 安培)。阴极引线是靠近身体“平面”的引线。由于二极管两端的电压为 2 伏,电池电压为 12 伏,因此电阻两端的电压为 12-2 = 10 伏。二极管与电阻串联,因此通过两者的电流相同,为 0.02 安培。
我们现在知道两端的电压和通过电阻器的电流。根据欧姆定律,我们现在可以计算电阻器的值。
电阻 = 伏特除以安培 = V/I = 10/0.02 =500 欧姆。
由于这不是标准值,我们可以使用 470 或 560 欧姆的电阻器,因为此应用对值并不重要。
上一篇:转向二极管教程
下一篇:结型场效应晶体管教程
版权与免责声明
凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
- 光耦详细应用教程2024/4/26 16:43:32
- 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”2024/4/26 15:56:19
- 可控硅的工作原理、分类、作用与三极管的区别、与场效应管区别、典型应用接线图2024/4/24 17:56:03
- N型和P型半导体的导电特性2024/4/24 17:34:41
- NPN与PNP的基础知识介绍2024/4/23 17:48:16
- 英特尔数据存储如何操作和实现
- 什么是微动开关_微动开关有什么用_微动开关使用方法
- VCC,VDD,VEE,VSS在电源原理图中有什么区别?
- 低压配电系统设计规范_低压配电系统设计注意事项
- xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
- 光耦详细应用教程
- 定义绝缘耐久性评估的电压脉冲测试要求
- 采用沟槽MOS结构,使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
- NOVOSENSE - 纳芯微推出车规级温湿度传感器NSHT30-Q1,助力汽车智能化发展
- Keysight - EV 电池设计创新:扩大续航里程、延长电池寿命