考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数，SiC似乎是高频功率器件的材料。它可以承受电场，从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外，它具有的热阻，允许高通态电流密度。
    然而，砷化镓有一些必须考虑的优点：
    由于正向压降的显着正温度系数，SiC 二极管中的非重复峰值电流受到限制 [5]。因此，器件尺寸必须选择足够大以避免过流损坏。对于相同的平均额定电流，GaAs 器件可以提供两倍以上的浪涌电流。
    尽管 SiC 二极管可以在更高的电流密度下工作，但 GaAs 器件的结电容比 SiC 小得多（5 倍以上）。
    GaAs 的雪崩能力更高。在 SiC 中，双极电流会导致缺陷生长，终导致器件损坏。
    GaAs 不像 SiC 那样存在一般材料问题。因此，GaAs 提供了更大的晶圆尺寸、更大的芯片尺寸（实际上额定电流高达 100 A）、更高的产量、无需高温处理以及更高的生长速率，终导致成本显着降低。
    GaAs 注入模式肖特基二极管
    与硅一样，砷化镓肖特基二极管可分为低势垒器件（“纯”肖特基二极管，我们也将其称为“代”）和高势垒器件，即所谓的“注入模式肖特基二极管”或“第二代”。这些第二代肖特基二极管旨在利用正向传导下的少数载流子注入现象 [1, 2]。当肖特基势垒选择高于半导体带隙的一半时，靠近金属的区域变成p型，因为来自半导体的电子进入金属，直到费米能级平坦。在正向偏压下，来自该 p 型层的空穴被注入到中性 n 区，从而承载部分电流。此外，在高电流密度下，额外的电子进入 n 区以保持电荷中性。这导致 n 层的电导率调制[8]。因此，二极管的微分电阻随着电流和温度的增加而降低，从而导致更低的 VF、更高的浪涌电流能力和更高的额定电流。图 1 比较了 300 V 二极管的正向特性。

   

    图 1 代和第二代 GaAs 和 SiC 肖特基二极管的典型正向特性
    新型 600 V GaAs 器件
    为了创建 600 V GaAs 器件，两个第二代 300 V 肖特基二极管串联在背面隔离的 ISOPLUS220 封装中。由此，产生的电容不仅通过两个结电容的串联而减小，而且 ISOPLUS 封装提供的寄生电容比同类标准 TO220 封装低得多（15 pF 与 124 pF 相比）。
    在以下测量中，我们考虑了称为 DGSS10-06CC?? 的 10 A 版本。由于第二代特性，其浪涌电流能力为 80 A，远高于同类 10 A SiC 器件的处理能力。