在本文中，我们将了解各种晶体管的符号。
　　相关信息
　　AAC教材中逻辑门、锁存器和触发器的符号
　　双极结型晶体管的符号
　　什么是 BJT？
　　双极结型晶体管 (BJT) 由三层半导体材料组成。它们可以排列为 NPN 或PNP 晶体管 ，电路符号（以及功能）根据层排列而变化：

　　

　　双极结型晶体管　　
　　水平端子称为基极，没有箭头的对角端子是集电极，有箭头的对角端子是发射极。
　　MOSFET 的符号
　　什么是MOSFET？
　　BJT 仍在使用，但晶体管领域目前由 MOSFET 主导。这些是场效应晶体管 (FET)，在导电控制端子（称为栅极）和连接其他两个端子（称为源极和漏极）的半导体结构之间具有绝缘层。
　　“MOS”代表“金属氧化物半导体”，但不幸的是，这现在不准确，因为典型 MOSFET 的栅极是由多晶硅而不是金属制成的。
　　然而，这些器件有一个更准确的术语：IGFET，代表绝缘栅场效应晶体管。但根据我的经验，这个名字几乎从未被使用过。　　
　　NMOS 与 PMOS
　　与 BJT 一样，MOSFET 分为两大类：N 沟道或 P 沟道。讨论 MOSFET 的一种简便方法是将 N 沟道器件称为 NMOS，将 P 沟道器件称为 PMOS。

　　

　　MOSFET，版本 1。左侧的端子是栅极，箭头标识源极，其余端子是漏极。　
　　MOSFET 的物理结构产生了称为体的第四个端子。在大多数情况下，body 终端可以忽略，因为它的影响可以忽略不计。
　　上面的版本 1 符号反映了这样一个事实：主体端子通常与电路操作无关。然而，在身体连接很重要的情况下，我们有这些符号：   　
　　MOSFET，版本 2。体端子位于源极和漏极之间。　
　　如果由于某种原因您不喜欢版本 1 符号，那么您很幸运：

　　

　　MOSFET，版本 3　　
　　在这种情况下，您没有区分源极和漏极的箭头。在版本 3 符号中，源是与主体端子有连接的端子。如果您碰巧知道在实际电路中 FET 体经常与源极短路，那么这一点很容易记住。
　　如果您在版本 1 和版本 3 之间来回切换，请小心箭头。在版本1中，指向栅极的箭头表示PMOS；在版本 3 中，指向栅极的箭头表示 NMOS。
　　MOSFET 符号爱好者会很高兴知道还有另一种方式来表示这些元件。当我们分析或设计 CMOS 电路时，我们通常将 MOSFET 视为电压控制的开/关开关，而没有具体提及源极端子和漏极端子。在这种情况下，NMOS和PMOS之间的区别在于PMOS由逻辑低电压激活，而NMOS由逻辑高电压激活。
　　因此，我们可以使用以下简化符号：

　　

　　MOSFET，版本 4。圆圈表示“低电平有效”输入行为，区分 PMOS 和 NMOS。
　　其他类型的晶体管
　　IGBT
　　什么是IGBT？
　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）将 MOSFET 特性和 BJT 特性合并到单个器件中。它主要用于开关应用。
　　下面显示的符号似乎是更常见的版本；如果您想查看替代表示形式，请参阅有关IGBT的 AAC 教科书页面。　
　　N沟道IGBT。请注意垂直空白区域如何表明栅极端子与器件的其余部分绝缘。　　
　　JFET
　　什么是 JFET？
　　JFET（结型场效应晶体管）类似于 MOSFET，但栅极不绝缘。如今，这些设备已经很少见了。如果您知道 JFET 是晶体管类型的现代应用，请在评论中告诉我们。　　
　　JFET　
　　达林顿对
　　达林顿对组合了两个 BJT，使得个 BJT 的发射极电流成为第二个 BJT 的基极电流。结果是非常高的电流增益。　　
　　NPN 达林顿对　　
　　达林顿对被认为是共集电极放大器概念的延伸。