鳍式场效应晶体管 (FinFET) 是紧凑型节能技术领域鲜为人知的英雄。非传统的垂直鳍式设计使晶体管能够更好地分配电流。
　　与水平晶体管相比，它们已经提高了效率，但进步仍在不断到来。研究主要希望减少静电放电 (ESD)，这是强电流的副产品。ESD 会损害 FinFET 的完整性和寿命，而这些发展使其不再那么突出。
　　片上 ESD 保护电路
　　能源人士需要ESD保护电路来实现稳健性，但专为 FinFET 设计的电路现在比以往任何时候都更加先进。FinFET 设计比传统晶体管变体产生更多的自热。尽管整体分布更好，但 FinFET 中的沟槽可能会导致拥挤和应力。
　　这就是为什么片上保护可能是管理 ESD 的解决方案。它确保完全兼容性，而不是依赖可能损害传输或导致电磁干扰的外部设备。其有效性基于材料，例如使用石墨烯进行的实验，以提高导热性和响应时间。
　
　　新的 FinFET 设计技术可能是增强 ESD 鲁棒性的另一种补充。保护电路是一种方法，但其他进展正在推广。这些包括：
　　防护环：放置在关键部件周围，以转移额外电荷，防止过载。
　　电磁屏蔽：小型金属屏蔽可防止EMI接触 FinFET 基础设施的其余部分。
　　良好接触：另一种类型的闩锁结构，用于故意破坏电源轨之间的闩锁路径。
　　散热器：减少高性能电路产生的总体热量，否则会加剧 ESD 问题引起的电压损坏。
　　改进散热器等进步与 ESD 没有直接关系。然而，FinFET 的全面优化可提高寿命、性能和温度管理，而这些问题会随着静电损坏的增加而恶化。如果 FinFET 设计人员实现了理想的切割，他们就会看到这一点，因为它可以限度地减少寄生影响，从而获得更大的电容。
　　评估 ESD 的模拟和测试方法
　　多种测试方法使能源人员能够更好地了解和准确地确定 ESD 稳健性。
　　个进步与充电设备建模的标准化更新有关。为了改进 ESD 测试，建议调整电压测试级别，以避免空气放电和带宽等问题。他们还鼓励寻找当前挑战的解决方案，例如在节点变得更小的情况下保持测试质量。
　　模拟的另一个进步更具技术性。改进的统计分析方法在生成结果时考虑参数和过程的可变性。例如，蒙特卡洛模拟可以更好地分析故障实例，同时还可以降低故障发生的可能性。先进的数据收集功能使研究人员能够更一致地将物理模型与模拟进行比较。
　　材料创新增强 ESD 性能
　　人体模型 (HBM) 一直是一种经过验证的 ESD 可视化方法，即使在使其能够更好地处理更高电压并提高建模精度之后，材料的进步对于环境保护也是必要的。HBM 使用汞基继电器，进展表明金属氧化物替代品可提高生产率。它消除了共振，限度地减少了测试所需的零件，同时对地球产生了更好的影响。
　　多晶硅栅极材料对于控制电流至关重要，但研究人员希望材料更容易缩放，同时具有更高的导电性。金属栅电极可能是能源人士渴望的材料解决方案。金属门更适合支持人工智能和汽车行业等现代技术。
　　FinFET 如何对抗 ESD
　　限度地减少 ESD 的影响需要从多个角度看待 FinFET。通过设计、合规性更新、材料选择和模拟精度进行改进。近的研究表明，要改善 ESD 保护，需要多种解决方案，而不是专注于一个重点领域。随着更多的研究和开发，ESD 管理将揭示 FinFET 在新技术方面取得进展的真正潜力。