1. N沟道增强型前面已经提及，图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的电位上。在图3.3.1给出的符号中，用1DS间断开的线段表示Vcs=0时没有导电沟道，即MOS管为增强型。衬底 B上的箭头指向 MOS管内部，表示导电沟道为N 型。栅极引出端画在靠近源极一侧。
      2. P沟道增强型　

　图3.3.6 是P 沟道增强型 MOS管的结构示意图和符号。它采用N 型衬底，导电沟道为 P型。vCS=0时不存在导电沟道，只有在栅极上加以足够大的负电压时，才能把N型衬底中的少数载流子——空穴吸引到栅极下面的衬底表面，形成P型的导电沟道。因此，P沟道增强型 MOS管的开启电压Vcs(ak)为负值。这种 MOS管工作时使用负电源，同时需将衬底接源极或接至系统的电位上。

　　P 沟道增强型 MOS管的符号如图3.3.6 中所示，其中衬底上指向外部的箭头表示导电沟道为 P型。　　图3.3.7 是 P 沟道增强型 MOS管的漏极特性。用P沟道增强型 MOS管接成的开关电路如图3.3.8 所示。当v=0时，MOS管不导通，输出为低电平VoLo只要R远小于 MOS管的截止内阻.RorF,则。VoL≈VvD。

当v1<VcS(kb)时，MOS管导通，输出为高电平。VoH。只要R远大于 MOS管的导通内阻R,则。VoH=0。

　　3.N 沟道耗尽型

     MOS管的结构形式与 N 沟道增强型 MOS管的相同，都采用P型衬底，导电沟道为 N型。所不同的是在耗尽型MOS管中，栅极下面的二氧化硅绝缘层中掺进了一定浓度的正离子。

这些正离子所形成的电场足以将衬底中的少数载流子——电子吸引到栅极下面的衬底表面，在D-S间形成导电沟道。因此，在vCs=0时就已经有导电沟道存在了。v为正时导电沟道变宽，i增大；v为负时导电沟道变窄，i减小。直到v小于某一个负电压值Vcs(m)时，导电沟道才消失，MOS管截止。Vcs(eI)称为 N 沟道耗尽型MOS管的夹断电压。

      MOS管接成的开关电路

　　图3.3.9 是 N 沟道耗尽型 MOS管的符号,图中 D-S间是连通的，表示vCS=0时已有导电沟道存在。其余部分的画法和增强型 MOS管相同。

　　在正常工作时，N沟道耗尽型 MOS管的衬底同样应接至源极或系统的电位上。

　 　4. P沟道耗尽型　　

    P 沟道耗尽型 MOS 管与 P 沟道增强型 MOS管的结构形式相同，也是 N 型衬底，导电沟道为P型。所不同的是在 P 沟道耗尽型 MOS管中，vαS=0时已经vC5有导电沟道存在了。当vcs为负时导电沟道进一步加宽，i的增加；而(v为正时导电沟道变窄，i的减小。当vCS的正电压大于夹断电压VCS(odf)时，导电沟道消失，管子截止。
　　图3.3.10 是 P 沟道耗尽型 MOS管的符号。工作时应将它的衬底和源极相连，或将衬底接至系统的电位上。