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场效应管和MOS管区别？一问全解析

在半导体器件领域，场效应管（FET）与 MOS 管（MOSFET）是两类高频出现且易被混淆的元件。二者并非对立关系，而是从属与包含的关系——MOS 管是场效应管的重要分支，但因结构、特性与应用场景的差异，又具备独立的技...

分类：基础电子 时间：2025-09-09 阅读：1304

如何识别MOS管符号和箭头？

在电子电路设计与分析中，金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOS 管）是一种极为重要的电子元件。准确识别 MOS 管的符号和箭头所代表的含义，对于理解电路的工作原理和进行有效的电路设计至关重要。本文将详细解...

分类：元器件应用 时间：2025-08-08 阅读：286 关键词：MOS管

pmos管工作原理及详解

PMOS管工作原理及详解PMOS管（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，P沟道金属氧化物半导体场效应管）是一种基于空穴导电的场效应晶体管，与NMOS管互补，共同构成CMOS技术的基础。以下是其...

分类：基础电子 时间：2025-07-07 阅读：383 关键词：pmos管

P沟道MOS管导通条件详解

一、核心导通原理P沟道MOS管（PMOS）的导通本质上是通过栅极施加负电压来形成导电沟道。当栅源电压 VGSVGS 低于阈值电压 VGS(th)VGS(th)（典型值-0.5V至-5V）时，栅极下方的P型半导体中会感应出空穴导电通道，实现源...

分类：基础电子 时间：2025-06-25 阅读：371 关键词：P沟道MOS管

pmos管的工作原理

PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）管是一种常见的场效应晶体管（FET），其工作原理如下：　　PMOS管由一个p型的沟道和两个n型的源极和漏极组成。在沟道和源极之间存在一个绝缘层，称为氧化层或门绝缘层。...

分类：元器件应用 时间：2024-05-20 阅读：743 关键词：pmos管

什么是MOS管？NMOS、PMOS和三极管的区别

MOS管是一种场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET），其名称源自金属氧化物半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）。MOS管包括两种类型：NMOS（N-Channel MOS）和PMOS（P-Channel MOS）。　　NMOS（N-Channel M...

分类：元器件应用 时间：2024-04-30 阅读：1864 关键词：NMOS

MOS管的四种类型

1. N沟道增强型前面已经提及，图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系...

分类：元器件应用 时间：2024-02-20 阅读：483 关键词：MOS管

开关电源MOS管的工作损耗计算

耗计算式计算： × RDS(on) × K × 截止损耗计算： × IDSS ×（ 1-Don ） 会依 VDS(off) 变化而变化，如计算得到的漏源电压 VDS(off) 很大以至接近 V(BR)DSS 则可直接引用此值。 开启过程损耗计算...

分类：电源技术 时间：2023-06-15 阅读：1275 关键词：开关电源MOS管

MOS管损耗的8个组成部分

MOS管损耗的8个组成部分 在器件设计选择过程中需要对 MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形，套用公式进...

分类：元器件应用 时间：2023-06-12 阅读：404 关键词：MOS管

MOS管被击穿的原因及解决方案

mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况...

分类：元器件应用 时间：2023-05-24 阅读：225 关键词：MOS管

4个方面了解MOS管

01 MOS管种类&结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是...

分类：元器件应用 时间：2023-05-22 阅读：445 关键词：MOS管

功率MOS管损坏的典型

第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由...

分类：元器件应用 时间：2023-05-17 阅读：4830 关键词：功率MOS管

细说MOS管的静电击穿

其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。而静电击穿有两种方式，电压型及功率...

分类：元器件应用 时间：2023-05-16 阅读：434 关键词：MOS管

功率MOS管损坏的典型案例

第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由...

分类：元器件应用 时间：2023-05-10 阅读：417 关键词：MOS管

电源工程师必须要了解的MOS管GS波形

对于咱们电源工程师来讲，很多时候都在波形，看输入波形，MOS开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。测试MOS管GS波形时，有时会看到下图中的这种波形，...

分类：元器件应用 时间：2023-05-08 阅读：496 关键词：MOS管

详解MOS管的20种参数

最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件：(Ta=25℃)1、VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。...

分类：元器件应用 时间：2023-04-24 阅读：660 关键词：MOS管

三极管和MOS管的正确应用

1、三极管和MOS管的基本特性三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管（简称P型三极管）和PNP型三极管（简称N型三极管）两种MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制...

分类：元器件应用 时间：2023-04-19 阅读：383 关键词：三极管,MOS管

MOS管功率损耗竟然还可以这么测

MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢？1.1 功率损...

分类：电子测量 时间：2023-04-18 阅读：381 关键词：MOS管

MOS管漏电流的6大原因

在讨论MOS晶体管时，短沟道器件中基本上有六种漏电流成分：反向偏置-pn结漏电流亚阈值漏电流漏极引起的势垒降低V滚降工作温度的影响隧道进入和通过栅极氧化物漏电流热载流子从衬底注入栅氧化层引起的漏电流由于栅极...

分类：元器件应用 时间：2023-04-11 阅读：794 关键词：MOS管