介绍VMOS管的技术指标及其各项参数
出处：http07 发布于：2011-06-18 17:32:58 | 2878 次阅读
VMOS管的技术指标，通常用极限参数、静态参数和动态参数来表示。
（1）极限参数
1、漏极击穿电压BUDS---它决定了VMOS管的工作电压，以防止器件进入雪崩区，因过热而损坏。
2、栅漏击穿电压BUDG---为防止栅漏电压过高可能损坏金属栅极与器件本体间的隔离层而设定。
3、栅源击穿电压BUGS---栅源电压超过该值时，会在栅源保护二极管中产生雪崩电流，因过热而损坏器件。
4、连续漏极电流ID---它表征VMOS管的电流容量。
5、脉冲漏极电流ID---在数值上，该电流大于连续漏极电流，其具体数值与测试信号的脉冲宽度及占空比有关。
为表明以上极限参数的测试条件并对各极限参数有个定量的认识，表1-3列出一种常用VMOS管VN5001的有关数据。
（2）静态参数
1、零栅漏极电流ID---栅源电压为零时的漏极电流。
2、导通电流ID(on)---当栅源电压为10V且漏源电压为规定值时的漏极电流。
3、开启电压UGS(th)---又叫阈值电压，其数使由转移特性与横轴的交点来确定。
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