在电子电路设计领域，当一个直流电源同时供给处于高处、不方便顺序接通的两个负载时，若负载同时上电，直流电源可能出现无法正常 “启动” 输出的问题。本文将基于此背景，详细介绍一种 24V 负载延时通电电路的设计方案。该方案在没有延时通电继电器，仅使用若干常见电子元件（如电阻、电容、电感、二极管、晶体管等）的情况下，巧妙实现让其中一个负载后于另一个负载上电，以错开启动峰值。
　　【构思】假定负载为 24V 直流电机，由 24V 开关电源供电。开关送电后，一个负载立即通电，要求延时 1 秒后再给另一个负载通电。最直接、简单且经济的方法是利用 RC 延时原理。上电后，电源开始给电容充电，当电容电压上升到某一阈值时，依靠电容电压使晶体管（如三极管、场管、可控硅等）导通，从而使电源接通负载。这里倾向于使用单向可控硅，例如 2N5063，因其具有独特的 “脉冲驱动保持” 特性，且触发电压在 2V 左右。其思路如图所示：
　　　然而，电路完成一次延时启动后，如果断开 SW，C1 上会有残存电压，并且从图中可看出它没有放电通路。若再次闭合 SW，由于 C1 残存电压的影响，可控硅会立即触发，无法起到延时启动的作用。因此，要在 SW 断开后及时给 C1 放电，最简单的办法是给 C1 并联一个阻值较大的泄放电阻（通常选用 1M 的电阻，这样既不会影响充电速度及 “锁死” 触发电压，又能较快速地放电）。增加泄放电阻后的电路如图所示：
　　　　由设计要求可知，上述电路既要满足 R1C1 = 1s，又要满足可控硅的触发条件（Ugs≈2V），这有时难以同时实现。为了调整触发电压，可在可控硅的门极灌入方向串联若干二极管，如 1N4007。每串入一个二极管，电容提供的触发电压会抬升约 0.7V，反之降低 0.7V。具体电路如图所示（图中也画出了另一负载电机）：
　　　　至此，电路的构思完毕，接下来需要确定元件的参数。
　　【计算】为方便计算，选择 R1 = 1k。上电时，R1C1 支路的瞬态电流为：24V / 1k = 24mA，对电容的冲击不大。电容的耐压按电源电压的 1.5 - 2 倍计算，所以耐压值为 24 * 2 = 48V（实际选用 50V）。根据设计要求延时 R1C1 = 1 秒，可计算出 C1 = [1 / (1 * 10^3)] * 10^6 = 1000uF。再对 R1 功率进行核算：(24 / 1000)^2 * 1000 = 0.576W，选降额系数 0.6，可选用 0.576 / 0.6 ≈ 1W 的直插金属膜电阻（碳膜电阻也可行）。最终确定参数为：R1：1k 1W，C1:1000uF 50V（铝电解电容）。完整的原理图如下：