图 1中的电路是流行的 TL431 可编程并联稳压器的高功率模拟。当 P 沟道 FET 的漏极接地时，这种两端电路很方便，因为它不需要与接地散热器隔离。
    图 1基于 TL431 的并联稳压器或限幅器

    但是，没有 TL431 的镜像模拟，因此当您有正接地时，您需要在漏极和接地散热器之间进行隔离，从而降低冷却性能。
    图 2所示的设计理念允许在接地散热器上使用成本较低的 N 沟道 MOSFET。它还可以承受比图 1 更低的输入电压值。

    图 2  基于 TL431 的并联稳压器或使用 N 沟道 MOSFET 的限幅器
    该电路可用作高功耗可调钳位器，具有精确的电平控制和非常敏锐的响应。如果需要，镇流电阻 Rb可以 用保险丝代替。 响应时间不如 Transil/Transzorb 类型的部件快，但对于大多数应用来说几微秒就足够了。
    该电路还可以用作大电流分流稳压器，但需要注意稳定性。该电路在负载电容低于约 1nF 或高于约 200?F 时是稳定的。
    该电路可以轻松按比例放大：只需选择具有合适漏极电流的 FET。75A的HUF75652G3和85A的IRF1010N都用过。