教程总结
　　在本教程中，我们了解了如何使用双极结型晶体管（NPN 或 PNP）和增强型 MOSFET（N 沟道或 P 沟道）作为晶体管开关电路。
　　有时，在构建电子或微控制器电路时，我们希望使用晶体管开关来控制大功率设备，例如电机、灯、加热元件或交流电路。通常，这些设备需要比单个功率晶体管能够处理的更大的电流或更高的电压，那么我们可以使用继电器开关电路来做到这一点。
　　双极晶体管 (BJT) 构成非常好的且廉价的继电器开关电路，但 BJT 是电流操作器件，因为它们将小基极电流转换为较大的负载电流，为继电器线圈供电。
　　然而，MOSFET 开关是理想的电气开关，因为它几乎不需要栅极电流即可“导通”，将栅极电压转换为负载电流。因此，MOSFET可以作为压控开关来操作。
　　在许多应用中，双极晶体管可以用增强型 MOSFET 替代，从而提供更快的开关动作、更高的输入阻抗以及可能更低的功耗。极高的栅极阻抗、“关闭”状态下的极低功耗以及极快的开关能力相结合，使得 MOSFET 适合许多数字开关应用。此外，在栅极电流为零的情况下，其开关动作不会使数字门或微控制器的输出电路过载。
　　然而，由于 E-MOSFET 的栅极与组件的其余部分绝缘，因此它对静电特别敏感，静电可能会破坏栅极上的薄氧化层。然后，在处理该组件或使用该组件时应特别小心，并且任何使用 e-MOSFET 的电路都应包括适当的静电和电压尖峰保护。
　　此外，为了对 BJT 或 MOSFET 提供额外保护，请始终在继电器线圈上使用续流二极管，以安全地耗散晶体管开关动作产生的反电动势。