逻辑控制继电器开关电路
出处：维库电子市场网 发布于：2024-01-23 17:32:49 | 445 次阅读
N 沟道增强型 MOSFET 作为晶体管开关非常有用，因为在“OFF”状态（栅极偏置为零），其沟道具有非常高的电阻，可阻止电流流动。然而，在其高阻抗栅极上大于阈值电压V T的相对较小的正电压导致其开始从其漏极端子传导电流到其源极端子。
与需要基极电流才能“导通”的双极结型晶体管不同，e-MOSFET 仅需要栅极上的电压，因为其绝缘栅极结构，零电流流入栅极。然后，这使得 e-MOSFET（N 沟道或 P 沟道）非常适合由典型 TTL 或 CMOS 逻辑门直接驱动，如图所示。 逻辑控制继电器开关电路
此处，N 沟道 E-MOSFET 由数字逻辑门驱动。大多数逻辑门的输出引脚只能提供有限的电流，通常不超过约 20 mA。由于 e-MOSFET 是电压驱动器件，不消耗栅极电流，因此我们可以使用 MOSFET 继电器开关电路来控制高功率负载。 微控制器继电器开关电路
微控制器继电器开关电路
微控制器
与需要基极电流才能“导通”的双极结型晶体管不同，e-MOSFET 仅需要栅极上的电压，因为其绝缘栅极结构，零电流流入栅极。然后，这使得 e-MOSFET（N 沟道或 P 沟道）非常适合由典型 TTL 或 CMOS 逻辑门直接驱动，如图所示。 逻辑控制继电器开关电路
此处，N 沟道 E-MOSFET 由数字逻辑门驱动。大多数逻辑门的输出引脚只能提供有限的电流，通常不超过约 20 mA。由于 e-MOSFET 是电压驱动器件，不消耗栅极电流，因此我们可以使用 MOSFET 继电器开关电路来控制高功率负载。 微控制器继电器开关电路
微控制器继电器开关电路
微控制器
0次
版权与免责声明
凡本网注明“出处：维库电子市场网”的所有作品，版权均属于维库电子市场网，转载请必须注明维库电子市场网，https://www.dzsc.com，违反者本网将追究相关法律责任。
本网转载并注明自其它出处的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品出处，并自负版权等法律责任。
如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起一周内与本网联系，否则视为放弃相关权利。
电路图分类
广告
热门电路图
最新电路图
