在电子电路设计中，过流限流保护电路是保障系统稳定运行、防止元件损坏的重要组成部分。此前，我们已经对三极管 + NMOS 和 431 + NMOS 构成的过流限流保护电路进行了详细分析，其电路图如下（点击图片可跳转链接）：
　　今天，我们将进一步拓展对过流限流保护电路的研究，具体分析以下电路：
　
　　实际上，这个电路是对 PMOS 做负载开关电路的一个拓展。如果去掉上图中蓝色框内的三极管和电阻，那么电路就与下图中 RK3588S 中的 PMOS 做负载开关的电路几乎一样了。下图截取自 RK3588S 的原理图 DEMO 板，其选型也可供各位参考：

　　接下来，我们对增加了过流限流功能的电路进行仿真分析。仿真结果显示，当 S1 开关拨到 3.3V 时，Q1 三极管导通，进而 Q2 导通，LED 灯亮。此时，由于负载电流约为 5mA，R6 两端的压降约为 10mV，所以 Q3 处于截止状态。当 S1 拨到 0V 时，Q1 三极管截止，Q2 随之截止，此时 Q3 同样处于截止状态，LED 灯灭，负载电流几乎为 0。以下是仿真动图：

　　下面我们重点分析过流情况下的电路表现。我们为 Q3 三极管设置的过流保护值为：Iset = Vbe/R6 = 0.7V/2Ω ≈ 350mA。为了模拟负载加重的情况，我们在上述电路中再增加一个 24Ω 的负载电阻，使负载电流增大到我们设定的保护值。可以看到，由于 Q3 的存在，会对 Q2 产生一个负反馈，使得流过 Q2 的电流几乎稳定在设定的 350mA 左右（仿真值为 390mA 是由于 Vbe 变化所致）。从仿真结果可知，此时 Q3 处于放大区，Q1 处于饱和区，Q2 处于线性区（恒流区）。正是由于 Q3 的存在，迫使 Q2 并非完全导通，而是处于线性区。仿真结果如下：
　　　我们再去掉 Q3 这块过流限流保护电路进行仿真，结果就很明显了。此时 Q2 处于导通状态，流过 R8 的电流约等于 0.5A。仿真图如下：
　　综上所述，这个电路是一个非常经典的过流限流保护电路，它能够很好地保护前级电源，并且对三极管的使用十分巧妙。不过，在设计此电路时，需要特别注意电阻 R6 以及 MOS 管 Q2 的功率。否则，如果负载加重，可能会导致 Q2 或者 R6 烧毁。例如，在上述仿真中 R6 的功率为 0.389 * 0.389 * 2 ≈ 0.3W，Q2 的功率约等于（11.2 - 9.34） * 0.39 = 0.72W。
　　　通过对这个三极管限流保护电路的深入分析和仿真，我们可以更清晰地了解其工作原理和特性，从而在实际电路设计中更好地应用此类保护电路，提高系统的稳定性和可靠性。