碳化硅二极管广泛用于追求高效率和功率密度的不同应用。 CoolSiC G6（新型第六代碳化硅肖特基二极管）背后的优化工艺降低了传导损耗，但同时导致某些区域的浪涌电流参数降...
分类：基础电路 时间：2024-12-23 阅读：613
图 1所示的无处不在的可变电阻电路网络…… 图1经典可调电阻； Rmax=Rs+Rr； Rmin = 卢比。 ...可以在围绕数字电位器 (Dpot) 构建的固态电路中进行精确合成，如“合...
分类：基础电路 时间：2024-12-13 阅读：791
图 1 显示了我们将在本文中讨论的示例电感器。它是 Coilcraft 的螺旋箔电感器，额定使用电流高达约 20 A。我们花费了大量的时间和精力来提供该组件的详细损耗特性，可以通...
分类：基础电路 时间：2024-12-10 阅读：456
连接电源时极性不正确是很容易犯的错误。幸运的是，保护您的设备免受反极性的影响也很容易。 当您颠倒设备电源的极性时，可能会发生不好的事情。交换正极和负极电源线可...
分类：基础电路 时间：2024-11-29 阅读：420
第 1 部分：设计 现在，让我们看看如何减少游标电阻对电阻元件两端的影响。 图 2所示的解决方案利用了 DigiPot 的游标电阻与其标称总电阻无关的事实。这个想法非常简...
分类：基础电路 时间：2024-11-28 阅读：617
运算放大器简介 运算放大器（通常称为运算放大器）是设计电子电路的普遍构建模块。如今，这些设备被制造为小型集成电路，但这个概念很久以前就开始使用真空管。 1946 年...
分类：基础电路 时间：2024-11-27 阅读：993
这里介绍的项目是采用 FAN1100-F085 点火栅极驱动器芯片和 IGBT 的点火线圈驱动器。芯片设计为直接驱动点火 IGBT 并控制线圈的电流和火花事件。线圈电流通过输入信号引脚进...
分类：基础电路 时间：2024-11-19 阅读：431
“双 T”陷波滤波器 图 1 中创新的“双 T”陷波滤波器拯救了这一局面。它由 C 1、C 2、C 3、R 1、R 2、R 3A和 R 3B组成。我需要 2400 Hz 振荡器，因此选择了所示的值。...
分类：基础电路 时间：2024-11-19 阅读：305
电压、功和电流 电池将化学能转化为电能，在其两个端子之间产生电压，即电势差。电阻器是一种对电流产生指定量电阻的元件。当我们将电阻器的两个端子连接到电池的两个端...
分类：基础电路 时间：2024-11-15 阅读：983
如图1所示，佩尔茨振荡器只需要两个晶体管、一个电容、一个电感和一个电阻。在此配置中，输出电压是一个以地为参考的、直接耦合的、低失真正弦波，以约 1 Vbe 的电压在地上...
分类：基础电路 时间：2024-11-13 阅读：301
图 2 显示了带有电感器的降压转换器应用。请注意，电感器的基本电路模型仅包括直流电阻和固定电感器值。直流电阻值将提供对电感器耗散的非常低的估计。有两种方法可以评估...
分类：基础电路 时间：2024-10-23 阅读：516
由于 GaN 的高开关速度而导致的寄生电感 在比老化功率 MOSFET 更高的频率下使用 GaN，使功率转换电路中寄生电感的退化效应成为焦点 [1]。这种电感阻碍了 GaN 超快速开关...
分类：基础电路 时间：2024-10-22 阅读：405
在此拓扑中，附加电压电平由电容器（即所谓的快速电容器）合成。 在三电平情况下，飞跨电容的电压是输出电压的一半。电容可以在正负方向上抵消输出电压V_DC/2。三电平飞...
分类：基础电路 时间：2024-10-17 阅读：510
简单的高压 MOSFET 逆变器使用低压晶体管 Q 1和涉及 D 6的特殊布置解决了驱动高侧 MOSFET 的问题（图 1）。该逆变器比光耦合器驱动的逆变器快得多，因此死区时间问题很小。...
分类：基础电路 时间：2024-10-12 阅读：556
外形 高压二极管是一种耐压很高的二极管，在结构上相当于多个二极管串叠在一起构成的。高压硅堆是一种结构功能与高压二极管基本相同的元件,高压硅堆一般体积较大。高压...
分类：基础电路 时间：2024-10-11 阅读：804
便携式电池供电设备的大部分使用寿命通常都处于待机模式，在这种模式下，内部升压转换器的静态电流会不断消耗电池电量。待机期间的静态电流可能大于实际负载电流。尽管一些...
分类：基础电路 时间：2024-09-30 阅读：563
