结构 光控晶闸管又称光触发品闸管，简称LTT，它是一种PNPN四层半导体器件，利用一定波长的光照信号触发导通。与普通晶闸管的不同之处在于，其控制极区集成了一个光敏二极管。在光的照射下，光敏二极管漏电流增加...
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下（如10V），使ID等于某一微小电流（如50mA）时，栅—源极间所加的偏压即为夹断电压，用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V，3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”...
目前，最常用的温度传感器是J型、K型、T型和E型热电偶。从系统级的立足点来看，温度传感器是否适合您的应用将取决于所需的温度范围、准确度、线性度、解决方案成本、功能、功耗、解决方案尺寸、安装法、还有必要支持...
PT100是一种常见的铂热电阻温度传感器，它的电阻值随温度的变化而变化。以下是一个PT100铂热电阻温度与电阻值对照表的示例，该表提供了在不同温度下对应的PT100电阻值： 温度 (摄氏度) 电阻值 (欧姆) -200 ...
电容式传感器由电容量可变的电容器和测量电路组成，其变量间的转换原理如图5—2所示。 图5—2电容式传感器变量间的转换关系 由电学可知，两个平行金属极板组成的电容...
电势是描述电场中某点电势能的物理量，与电场中的电荷无关，仅与电场本身和所选的零电势点有关。以下是判断电势高低的方法和电势的公式介绍： 判断电势高低的方法根据电场线的方向判断：正电荷在电场中受到的电场...
变压器容量计算公式及注意事项如下： 一、变压器容量计算公式 常规公式： 容量(kVA) = 电压(V) × 电流(A) / 1000（适用于单相变压器） 容量(kVA) = √3 × 电压(V) × 电流(A) / 1000（适用于三相变压...
在本文中，我们将使用 PTM 网站上的 CMOS 模型。您可以通过导航到我上面链接的站点存档并单击“最新模型”来找到它。在那里，您将看到适用于不同 CMOS 工艺节点的大量 SPIC...
分类：基础电子 时间：2024-06-06 阅读：556 关键词：CMOS
一、定义： 时间继电器是一种利用电磁原理或机械原理实现延时控制的控制电器。它的种类很多，有空气阻尼型、电动型和电子型等。 二、作用： 时间继电器在电路中起着使触头（或开关）延迟接通或断开的作用。...
滤波器中使用的无源元件类型 但与其依靠经验法则，不如先使用标称值无源元件和无高频滚降且谐振频率增益为 1000·4·Q 2或更高的运算放大器来模拟滤波器。然后，降低增...
变压器容量的计算公式是电力工程中非常重要的一个概念，用于确定变压器能够处理的电功率大小。以下是关于变压器容量计算公式的详细解释： 一、变压器容量的基本计算公式 单相变压器容量计算公式： 容量（kV...
在本教程中，我们将研究半导体中两种杂质（五价和三价）均匀存在的现象，这与 pn 结不同，后者呈现掺杂不 连续性。 主导掺杂 我们在硅样品中掺杂了五价和三价杂质...
分类：基础电子 时间：2024-06-04 阅读：376 关键词：P/N型半导体
运算放大器 (Op-Amp) 是工业和消费电子产品中的基本元件，其用途广泛，从简单的任务（如基本放大和缓冲）到复杂的功能（如模拟数字转换、音频处理和传感器信号放大）。尽管...
"PN半导体"通常指的是一种半导体器件，其结构由P型半导体和N型半导体组成。这种结构常见于二极管和晶体管等器件中。 在PN结二极管中，P型半导体和N型半导体通过一个PN结相互连接，形成了一个整体的半导体器件。当...
分类：基础电子 时间：2024-06-03 阅读：820 关键词：PN半导体
由于有极性电容器有正、负之分，在电路中又不能乱接，所以在使用有极性电容器前需要先判别出正、负极。有极性电容器的正、负极判别方法如图2—9～图2—11所示。 方法一：对于未使用过的新电容，可以根据引脚长短...
