9美元的SuperSpeed探索者开发套件，加速USB 3.0的设计进程
赛普拉斯半导体公司日前推出一款易用的低成本开发平台，可为几乎任何系统增添高性能USB 3.0数据输出能力。这款全新SuperSpeed探索者开发套件目前在线销售价格为49美元，采...
分类：基础电子 时间：2014-09-12 阅读：1654 关键词：9美元的SuperSpeed探索者开发套件，加速USB 3.0的设计进程SuperSpeed探索者开发套件 USB 3.0
隔离开关操作重点要防止带负荷拉、合刀闸，防止带接地合刀闸。正确的操作顺序是：送电操作顺序，检查断路器在开位，先合母线（电源）侧刀闸，再合线路（负荷）侧刀闸，最后合断路器。停电操作顺序，先拉开断路器，检...
为了表征各种电压或电流波形的好坏，一般都是拿电压或电流的幅值、平均值、有效值、一次谐波等参量互相进行比较。在开关电源之中，电压或电流的幅值和平均值最直观，因此，我们用电压或电流的幅值与其平均值之比，称...
单片机中关键字data,idata,xdata,pdata的区别
data:固定指前面0x00-0x7f的128个RAM,可以用acc直接读写的，速度最快，生成的代码也最小。idata:固定指前面0x00-0xff的256个RAM,其中前128和data的128完全相同，只是因为访问的方式不同。idata是用类似
分类：基础电子 时间：2014-09-09 阅读：2344 关键词：单片机中关键字data,idata,xdata,pdata的区别单片机 RAM
典型ASIC设计具有下列相当复杂的流程：1）、结构及电气规定。2）、RTL级代码设计和仿真测试平台文件准备。3）、为具有存储单元的模块插入BIST（DesignFortest设计）。4）、为了验证设计功能，进行完全设计的动态仿真...
分类：基础电子 时间：2014-09-09 阅读：5480 关键词：典型ASIC设计详细流程ASIC 代码 存储单元
1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换...
DRAM （动态随机访问存储器）对设计人员特别具有吸引力，因为它提供了广泛的性能，用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念，及介绍了SDRA...
分类：基础电子 时间：2014-08-27 阅读：7685 关键词：解述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念存储器 DRAM SDRAM DDR SDRAM
1.像素及像素直径LED显示屏中的每一个可被单独控制的发光单元称为像素。像素直径￠是指每一LED发光像素点的直径，单位为毫米（mm）。对于室内屏，较常见的有φ3mm、φ3.7mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm等，其中又以φ5mm...
分类：基础电子 时间：2014-08-08 阅读：1145 关键词：LED显示屏的主要参数LED 显示屏 参数
三极管饱和问题总结： 1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上...
分类：基础电子 时间：2014-07-31 阅读：1792 关键词：三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！｜｜三极管｜饱和｜深度饱和
我们最关注的电池莫过于锂离子电池，因为我们的手机、pad、笔记本的电池就是锂离子电池，它的续航能力也一直是企业研究的一个重点方向。循环性能对锂离子电池的重要程度无需多言，就宏观来讲，更长的循环寿命意味着...
分类：基础电子 时间：2014-07-24 阅读：2620 关键词：影响锂离子电池循环性能的七大因素｜｜锂离子电池｜性能
自恢复保险丝是一种过流电子保护元件，采用高分子有机聚合物在高压、高温，反应的条件下，搀加导电粒子材料后，经过特殊的工艺加工而成。在习惯上把PPTC（Polyer Positive ...
