IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的,由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮,因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态,即VGE为负压VGC-,后级输出为阻感性负载,带有...
分类:元器件应用 时间:2023-05-19 阅读:56
PI 汽车级驱动板SCALETM EV优化并保障SiC和IGBT开关电路
前不久深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(PI)推出了一款SCALETM EV系列门极驱动板,该驱动板通过汽车级认证和ASIL B认证,可实现AS...
ST-意法半导体双通道栅极驱动器优化并简化SiC和IGBT开关电路
IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间,简化电路设计。 IGBT驱动器STGAP2HD 和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD 利用意法半导体最新的电隔离技术,采用SO-36W 宽体封装,能够耐受6kV...
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的,由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮,因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态,即VG...
时间:2020-02-06 阅读:746 关键词:IGBT开关
1. 概述 HWKT—09型微机励磁调节器是武汉洪山电工技术研究所研制的新型的由IGBT作为功率输出器件的自并激微机励磁调节器。它的特点是结构简单,主控回路只需一块面积为25×20(cm2)的印制电路板,以Intel公司准16...