MOSFET的开关速度是电源设计、电机驱动、高频逆变等场景的核心性能指标，直接决定电路的开关损耗、工作频率及系统效率。在影响MOSFET开关速度的诸多参数中，栅极电荷Qg（GateCharge）是最关键的参数之一，却常被工程...
分类：基础电子 时间：2026-03-02 阅读：293
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应...
摘要：为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET栅极电荷、极间电容的阐述和导通过...
时间：2018-08-14 阅读：868 关键词：MOSFET,带电插拔,缓启动,开关损耗
Maxim推出内置MOSFET开关的8串WLED驱动器MAX17061
Maxim推出内置MOSFET开关的8串白光LED(WLED)驱动器MAX17061。器件采用内部的开关型电流模式升压控制器驱动LED阵列，最多可驱动8串并联的LED(每串可连接10个LED)。为保证均匀的LED亮度，每串LED采用一个电流源驱动，
分类：其它 时间：2008-06-12 阅读：1903 关键词：Maxim推出内置MOSFET开关的8串WLED驱动器MAX17061MAX17061WLED驱动器MAX17061开关
MOSFET的开关轨迹线是判断MOSFET开关过程“软硬”程度的重要评估指标，MOSFET的软硬程度对于开关电源的性能、寿命、EMI水平都有至关重要的影响，本文介绍了一种简单实用的方法，利用泰克TDS3000系列示波器，可以实时...
分类：其它 时间：2007-04-03 阅读：201 关键词：MOSFET开关轨迹线的示波器重现方法
