CMOS光电探测器的响应时间较慢是高速光电接收器单片集成的主要障碍。由于硅对波长肛638 nm吸收深度较深（约10 gm），同时CMOS工艺中源漏注入形成的pn结结深较浅（＜1 gm），因此大量的光生载流子是在pn结外的体硅内...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：2148 关键词：光电P型叉指结构二极管CMOS二极管
N+-P衬底结构中的P型掺杂浓度一般大于1016 cm-3，造成pn结空间电荷区，也就是光生载流子漂移区的宽度太小，大部分的光生载流子产生在这个区域之外。这部分载流子的运动形式主要是缓慢的扩散运动，这就大大限制了光电...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-02 阅读：4206 关键词：双光电二极管（DPD）CMOS二极管
光电二极管采用2μm N阱CMOS工艺中的N阱-P衬底pn结来作光电二极管［51］。系统未加优化时，780 nm波长下3 dB带宽大于1.5 MHz，5V偏压下漏电流密度为0.5 pA/mm2，响应度R=0....
最简单的制作CMOS OEIC的方法，就是利用CMOS工艺中能够很容易实现的pn结来作光电二极管，这其中包括源/漏-衬底pn结、源/漏-阱pn结，以及阱-衬底pn结。然而，这些pn结光电二...
在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做PIN光电二极管中的I层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：3468 关键词：集电极形成的PIN光电二极管二极管
图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集电极注入形成，P区则是直接利用轻掺杂的P型衬底。图中N＋区与P＋区的间距为5 gm，N＋区的面积被定义为光电探测器的面积...
分类：光电显示/LED照明 时间：2008-12-01 阅读：2249 关键词：双极工艺光电二极管二极管
逆变器采用120°导通方式时，在任意时刻无刷直流电机的三相定子绕组总有一相是关断的，也就是当逆变器换相时，原本导通的两相绕组会有一相关断，而与此同时原本关断的那相绕组导通。然而，被关断的那相绕组的电流并...
PN结的单向导电性 PN结在外加电压的作用下，动态平衡将被打破，并显示出其单向导电的特性。 1、外加正向电压 当PN结外加正向电压时，外电场与内电场的方向相反，内电场变弱，结果使空间电荷区（PN结）变窄...
分类：元器件应用 时间：2008-10-21 阅读：10836 关键词：半导体pn结物理特性-pn结二极管的单向导电性
pn结二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流。不同材料的pn结二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微...
分类：元器件应用 时间：2008-10-21 阅读：4563 关键词：pn结二极管-pn结击穿电压
一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特...
超快恢复二极管的反向恢复时间更短，一般trr＝50ns（不同电流和电压规格的UFRD，其trr是不同的）。PN结式UFRD的优点是：正向导通损耗小，结电容小,工作温度可以较高。、例如，型号为IN6620～IN6631的高电压超快恢复...
能够迅速由导通状态过渡到关断状态的PN结整流二极管，称为快恢复二极管，这种二极管的特点是反向恢复时间短，典型的200v/30A快恢复二极管，其trr<1μs。欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）来源:ks9...
选择开关管和二极管时，应根据它们的电压应力和电流应力进行计算，由式可知，谐振电感Ｌｒ的电流为： ＩＬｒ ｍａｘ＝Ｉｏ ｍａｘ＋Ｕｉ／Ｚｒ （１） 将式代入式（１），得 ...
分类：基础电子 时间：2008-10-08 阅读：2148 关键词：开关管与二极管的选择
肖特基（Schottky）二极管是将金属层沉积在N型硅的薄薄外延层上，利用金属和半导体之间的接触势垒获得单向导电作用，相当于PN结。这个接触面称为“金属半导体结”。肖特基二极管的全名应为肖特基势垒二极管（Schottk...
分类：电源技术 时间：2008-10-07 阅读：2463 关键词：PWM DC/DC转换器肖特基二极管（SBD）DC/DC／转换器
