在功率为15 W疝灯背入射下,测得光谱响应曲线如图1所示,峰值响应波长为286 nm,适合在太阳盲区工作。图中六条不同曲线分别表示在0V、-1V、-2V、-3V、-4V、-5V偏压下的响应度,在没有偏压下响应度为14.8 mA/W,相应...
分类:光电显示/LED照明 时间:2008-12-01 阅读:6926 关键词:光电探测器响应度随波长变化曲线探测器
为了提高工作速度和响应度,往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点:(1)由于高的势垒,因此有较低的暗电流;(2)工作速度高;(3)高阻抗适于焦平面阵列读出电路;(4)通过调整本征层的厚度可...
分类:光电显示/LED照明 时间:2008-12-01 阅读:4735 关键词:GaN PIN光电探测器结构探测器
GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性,即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失,此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下,GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。支...
分类:光电显示/LED照明 时间:2008-12-01 阅读:3912 关键词:GaN基肖特基结构紫外光电探测器探测器
在波长为1.55 gm的长波长区域,由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题,人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP,通过调整化合物组分含量使它能在1.2~1.6 gm波长范围内工作。图1所示是最早出现的InGaAsP/...
分类:光电显示/LED照明 时间:2008-12-01 阅读:3666 关键词:雪崩光电探测器结构和能带探测器
由于51的电子空穴离化率之比很高,用它制作的的雪崩二极管噪声低,暗电流小。同时人们对51的特性有很深入的了解且加工工艺成熟,所以51材料被广泛应用于APD结构中,而GaAs则较少使用。图1 所示是一个GaAs/Al.45Ga0.5...
分类:光电显示/LED照明 时间:2008-12-01 阅读:4629 关键词:光电探测器多量子阱MQW结构APD探测器
四元化合物In1-X,GaXAs1-yPy可以通过在InP衬底上外延生长而获得良好的晶格匹配。通过优化艿和y值既可以保证晶格匹配又可以获得需要的禁带宽度。例如In0.53Ga。47As与InP完全匹配,并且其禁带宽度所对应的光谱吸收波...
分类:光电显示/LED照明 时间:2008-12-01 阅读:8411 关键词:光电探测器结构示意图探测器
图1(a)是一个典型的异质结PIN[13],P型和N型区域均为InP,本征层In1 ,Ga,As生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配,并且窄的禁带宽度能使光谱响应达到1.65 gm。由于InP的禁带较宽(1.34 eV)...
分类:光电显示/LED照明 时间:2008-12-01 阅读:2567 关键词:光电探测器异质结探测器
如图1(a)所示为PIN光电探测器基本结构,N型衬底上生长一层低掺杂本征层,在淀积的5102上开窗形成P型注入区。分别在N型衬底和表面做欧姆接触,其中表面的欧姆接触需要开窗以便于光线入射。为了减少入射表面的反射以...
分类:光电显示/LED照明 时间:2008-12-01 阅读:2643 关键词:光电探测器基本结构探测器
半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的,通过吸收光子产生电子ˉ空穴对从雨在外电路产生光电流。其过程可以分为三步:光子吸收产生电子ˉ空穴对,在适当内电场作用下载流子的漂移,欧姆接触收集载流子。半...
分类:光电显示/LED照明 时间:2008-12-01 阅读:3618 关键词:基于III-V族半导体材料的光电探测器探测器
光电探测器正常工作所能探测到入射光信号的调制频率是有限的,调制频率高于光电探测器频率响应的入射光信号将不能被正确探测出。频率响应是光电探测器对加在光载波上的电调制信号的响应能力的反应,表征了光电探测器...
分类:光电显示/LED照明 时间:2008-12-01 阅读:4838 关键词:光电探测器频率响应光电
表征光电探测器性能参数主要有:量子效率、响应度、频率响应、噪声和探测度等。其中量子效率和响应度表征了光电探测器将入射光转换成光电流本领的大小,频率响应表征了光电探测器工作速度的快慢,噪声和探测度表征了...
分类:光电显示/LED照明 时间:2008-12-01 阅读:2729 关键词:光电探测器性能的参数
光电探测器是指能将入射光能量转化为电信号的一类光电子器件。为了探测入射光,人们需要先将光信号转化为与入射光强度成比例的电信号以方便测量。例如,在光纤通信系统中,人们将需要传输的语音图像等数据信息调制成...
分类:光电显示/LED照明 时间:2008-12-01 阅读:1823 关键词:光电探测器理论基础探测器
引言半导体光电探测器由于体积小,重量轻,响应速度快,灵敏度高,易于与其它半导体器件集成,是光源的最理想探测器,可广泛用于光通信、信号处理、传感系统和测量系统。最近几年,由于超高速光通信、信号处理、测量...