光电探测器多量子阱MQW结构APD
出处：cwpsxa 发布于：2008-12-01 11:10:56
由于51的电子空穴离化率之比很高，用它制作的的雪崩二极管噪声低，暗电流小。同时人们对51的特性有很深入的了解且加工工艺成熟，所以51材料被广泛应用于APD结构中，而GaAs则较少使用。图1 所示是一个GaAs/Al.45Ga0.55As多量子阱MQW结构APDn＇］。这种多量子阱结构是为了提高电子或空穴其中一种载流子的电离率，即使ocJα九变得很大或者很小从而降低噪声（α召和‰分别为电子和空穴电离系数）。考虑一个电子在宽带隙的Al0.45Ga0.55As层中被加速，当它进入到窄带隙的GaAs层时，由于导带的不连续性，它将获得LEc＝0.48 cY的能量。这样相当于将GaAs体材料电子的电离能从原来的2.0eV降到了1.52 eV。而电离系数是随电离能的减小而指数增加的，因此GaAs的电子电离系数大大增加了。相反，如果一个电子从窄带隙进入宽带隙层时，它会损失LE=0.48 eV的能量，因此A10.45Ga0.55As的电子电离系数减小了。但由于ae（GaAs）》ae（AlGaAs），它们的平均电离系数增加了，电子平均电离系数死可以表达为[20]
图1 GaAs/Al0.45Ga.55As多量子阱MQW结构APD
其中，L为量子阱宽度。由于价带不连续能很小，即△Ev=0.08eV，故空穴电离系数没有明显改变。这样就大大增加了ae/ah，降低了噪声。
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