异质结技术资料-维库电子市场网

异质结

氧化镓异质结二极管展现了雪崩和浪涌稳健性

2 英寸掺锡（001）-Ga2O3基板是设备制造的起点。漂移区由 10 μm 厚的硅掺杂 n-Ga 组成2O3载流子浓度为 ~1.7 × 10 的层16/厘米3.外延片可从 Novel Crystal Technology（...

分类：基础电子时间：2024-12-17 阅读：281 关键词：氧化镓异质结二极管

双异质结基本结构是将有源层夹在同时具有宽带隙和低折射率的两种半导体材料之间，以便在垂直于结平面的方向（横向）上有效地限制载流子和光子。用此结构于1970年实现了GaAl...

分类：基础电子时间：2008-12-03 阅读：7619 关键词：双异质结激光器激光器

单异质结激光器可以分为同型异质结（N－n或P－p）和异型异质结（N－p或P-n），图说明了能带结构情况。　　图单异质结激光器能带结构示意图　　以N－n同型单异质结激光器能...

分类：基础电子时间：2008-12-03 阅读：7691 关键词：单异质结激光器激光器

图1（a）是一个典型的异质结PIN［13］，P型和N型区域均为InP，本征层In1 ，Ga，As生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配，并且窄的禁带宽度能使光谱响应达到1.65 gm。由于InP的禁带较宽（1.34 eV）...

分类：光电显示/LED照明时间：2008-12-01 阅读：2552 关键词：光电探测器异质结探测器

报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAsHBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡频率达到140GHz的频率特性.这种新结构的HBT的击穿电压达到25V,有利于在大功率领域应用....

分类：其它时间：2007-04-29 阅读：1815 关键词：高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管2002 2003 2001

技术分类

热门技术资料

最新技术资料

热门标签更多>>

Datasheet下载更多>>

维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网