瓷介电容又称为陶瓷电容器,它是以陶瓷为介质,涂敷金属薄膜(通常为银)经高温烧结而形成电极,再在电极上焊上引出线,外表涂以保护磁漆,或用环氧树脂包封,即成为瓷介电容...
分类:基础电子 时间:2012-10-18 阅读:2638 关键词:瓷介电容的结构与特点瓷介电容
瓷介电容器又称为陶瓷电容器,它是以陶瓷为介质,涂敷金属薄膜(通常为银)经高温烧结而形成电极,再在电极上焊上引出线,外表涂以保护磁漆,或用环氧树脂包封,即成为瓷介电...
分类:基础电子 时间:2012-10-18 阅读:1846 关键词:瓷介电容器的结构与特点瓷介电容器
瓷介电容器可分为低压低功率和高压高功率,在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT型)。 I型(CC型)特点是体积小,损耗低,电容对频率,温度稳定性都较高,常用于高频...
分类:基础电子 时间:2012-10-11 阅读:3032 关键词:瓷介电容器分类及性能瓷介电容器
GB9321-1988 电子设备用固定电容器 第八部分(1)空白详细规范 1类高压瓷介电容器 *定水平E
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分类:元器件应用 时间:2009-05-06 阅读:2146 关键词:GB9321-1988 电子设备用固定电容器 第八部分(1)空白详细规范 1类高压瓷介电容器 *定水平E
GB9323-1988 电子设备用固定电容器 第九部分(1)空白详细规范 1类高压瓷介电容器 *定水平E
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分类:元器件应用 时间:2009-05-06 阅读:2330 关键词:GB9323-1988 电子设备用固定电容器 第九部分(1)空白详细规范 1类高压瓷介电容器 *定水平E
GB_11306-1989_电子设备用固定电容器_空白详细规范:3类瓷介电容器_*定水平E.exe
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分类:元器件应用 时间:2009-05-06 阅读:1881 关键词:GB_11306-1989_电子设备用固定电容器_空白详细规范:3类瓷介电容器_*定水平E.exe
SJT10211-1991 电子元器件详细规范 CC41型多层片状瓷介电容器 *定水平E.exe
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分类:元器件应用 时间:2009-05-06 阅读:1884 关键词:SJT10211-1991 电子元器件详细规范 CC41型多层片状瓷介电容器 *定水平E.exe
GB-T 9321-1988 电子设备用固定电容器 第八部分(1):空白详细规范 1 类高压瓷介电容器 *定水平 E (
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分类:元器件应用 时间:2009-05-06 阅读:1699 关键词:GB-T 9321-1988 电子设备用固定电容器 第八部分(1):空白详细规范 1 类高压瓷介电容器 *定水平 E (
GB-T 9323-1988 电子设备用固定电容器 第九部分 (1):空白详细规范 2类高压瓷介电容器 *定水平 E (
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分类:元器件应用 时间:2009-05-06 阅读:1525 关键词:GB-T 9323-1988 电子设备用固定电容器 第九部分 (1):空白详细规范 2类高压瓷介电容器 *定水平 E (
GB-T 9325-1996 电子设备用固定电容器 第10部分:空白详细规范 多层片式瓷介电容器 *定水平E.exe
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分类:元器件应用 时间:2009-05-06 阅读:1633 关键词:GB-T 9325-1996 电子设备用固定电容器 第10部分:空白详细规范 多层片式瓷介电容器 *定水平E.exe
CC5型穿心式瓷介电容器具有体积小、便于安装、性能稳定可靠等优点,适合在军用及各种电子设备、仪器、仪表等电路中作高频旁路用。其外形如图一所示,主要特性参数见表一。 图一 CC5型穿心式瓷介电容器外形 表...
CS52A型穿心瓷介电容器适用于电视机调谐器及甚他电子设备中,其外形如图一所示,主要特性参数见表一. 图一 CS52A型穿心瓷介电容器外形 表一 CS52A型穿心瓷介电容器主要特性参数
CT52型穿心瓷介电容器适用于电视机电子调谐器及其他电子设备的滤波电路等.其外形如图一所示,主要特性参数见表一. 图一 CT52型穿心瓷介电容器外形 表一 CT52型穿心瓷介电容器主要特性参数
分类:元器件应用 时间:2008-04-17 阅读:1839 关键词:CT52型穿心瓷介电容器
CCG2型管形高功率瓷介电容器供槽路、耦合及旁路等电路使用.其外形如图一所示,主要特性参数见表一. 图一 CCG2型管形高功率瓷介电容器外形 表一 CCG2型管形高功率瓷介电容器主要特性参数
分类:元器件应用 时间:2008-04-17 阅读:1817 关键词:CCG2型管形高功率瓷介电容器
CT81型军用高压瓷介电容器采用阻燃材料包封,引线为单向引出,适合印刷电路板安装,适用于旁路、耦合或对损耗和 电容量稳定性要求不高的电路。其外形如图一所示. 图一 CT81型军用高压瓷介电容器外形 CT81型...
CC81型中高压瓷介电容器采用阻燃性环氧粉末封装,具有损耗小、容量稳定、可靠性高等特点,适用于彩色电视机及其他电子设备,在谐振回路和其他电路中做温度补偿、耦合或隔直流用。其外形结构有五种形式,如图一所示,...
CT8型高压瓷介电容器适用于高压电子电路的倍压、滤波、储能及旁路等,使用的环境温度为-20℃~+85℃。其外形如图一所示,主要特性参数见表一. 图一 CT8型高压瓷介电容器外形 表一 CT8型高压瓷介电容器主...
分类:元器件应用 时间:2008-04-17 阅读:1651 关键词:CT8型高压瓷介电容器
CS1型3类瓷介电容器具有体积小、电容量大、截止频率高、温度特性优良等特点,适用于对损耗角正切、绝缘电阻要求不高的电路中。其外形如图一所示,主要特性参数见表一. 图一 CS1型3类瓷介电容器外形 表一 CS1...
CC10型超高频瓷介电容器主要用于高频电路中,频率可达5OOMHz。其外形结构分a、b两种形式,如图一所示,主要特性参数见表一。 图一 CC10型超高频瓷介电容器外形 表一 CC10型超高频瓷介电容器主要特性参数
CT7型交流瓷介电容器充分考虑安全性能,具有体积小、损耗低、安全可靠等特点,适用于彩色电视机、复印机、工业电源以及音像设备等。其外形如图一所示,主要特性参数见表一. 图一 CT7型交流瓷介电容器外形 表...