随着PFC拓扑中采用SiC 肖特基二极管，旁路二极管被用来限制通过 SiC 二极管的正向电流，以防浪涌电流影响电源干线。图 1 说明了旁路二极管通常如何在经典 PFC 中实现。仅当...
为什么 SiC 功率芯片更小？ 功率芯片的大小直接由单位面积的导通电阻决定，而导通电阻主要由作为功能层的外延层的电阻主导。为了最小化器件的导通电阻，必须增加外延层...
碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带），达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm.k。 它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与...
分类：元器件应用 时间：2020-11-18 阅读：622 关键词：碳化硅肖特基二极管的优点及应用碳化硅肖特基二极管
Littelfuse GEN2 650V碳化硅肖特基二极管可提高应用的效率、可靠性与热管理
Littelfuse, Inc.今日宣布推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅（SiC）肖特基二极管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二极管提供各种额定电流选择（6A、8A、10A、16A或20A）。 它们可...
分类：元器件应用 时间：2019-03-07 阅读：1117 关键词：Littelfuse GEN2 650V碳化硅肖特基二极管可提高应用的效率、可靠性与热管理肖特基二极管
导读：英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。 “第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计，将PN结设计融合...
分类：其它 时间：2014-06-17 阅读：1937 关键词：英飞凌推出其第五代碳化硅肖特基二极管英飞凌 碳化硅肖特基二极管 功率因素校正 PFC
Cree推出650V碳化硅肖特基二极管C3DXX065A系列
Cree公司日前宣布推出最新Z-Rec650V结型肖特基势垒(JBS)二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型JBS二极管的阻断电压为650V，能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算，这样可以将能...
分类：元器件应用 时间：2010-12-30 阅读：4284 关键词：Cree推出650V碳化硅肖特基二极管C3DXX065A系列肖特基二极管
功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准。由...
