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集成电路工艺

TSMC推出模组化BCD(Bipolar,CMOSDMOS)工艺，将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括：LCD平面显示器的背光源、LED显...

分类：光电显示/LED照明时间：2009-12-18 阅读：2746 关键词：TSMC推出高整合度LED驱动集成电路工艺LED驱动集成电路

赵智彪，许志，利定东（应用材料中国公司，上海浦东张江高科技园区张江路368号，201203）摘要：本文概述了低介电常数材料（Low k Materials）的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用。指出了应用低介电常数材料的必...

分类：PCB技术时间：2007-04-29 阅读：3401 关键词：低介电常数材料在超大规模集成电路工艺中的应用2003 20041997

前工序图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积(如溅射、蒸发)等掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术后工序划片封装测试老化筛选来源:零八我的爱

分类：PCB技术时间：2007-04-29 阅读：1368 关键词：集成电路工艺小结

(1)p阱工艺实现CMOS电路的工艺技术有多种。CMOS是在PMOS工艺技术基础上于1963年发展起来的，因此采用在n型衬底上的p阱制备NMOS器件是很自然的选择。由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属(铝)栅与衬底的功函数差，使...

分类：其它时间：2007-04-29 阅读：4854 关键词：CMOS集成电路工艺体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择1963

五个技术指标1.集成度（IntegrationLevel）是以一个IC芯片所包含的元件(晶体管或门/数)来衡量，（包括有源和无源元件）。随着集成度的提高，使IC及使用IC的电子设备的功能增强、速度和可靠性提高、功耗降低、体积和...

分类：PCB技术时间：2007-04-29 阅读：2298 关键词：描述集成电路工艺技术水平的

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