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BJT 晶体管：工作原理大剖析及实用应用指南

在电子电路领域，双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）是一种至关重要的电子元件。下面将详细介绍 BJT 晶体管的工作原理及其常见应用。一、BJT 晶体管原理BJT 晶体管主要分为两种类型，即 PNP 晶体管...

分类：基础电子 时间：2025-07-05 阅读：158 关键词：BJT 晶体管

BJT 开关/驱动器电路的快速分析

Arduino、Raspberry Pi、TI MSP430 LaunchPad 和各种其他嵌入式开发平台的普及导致基于 NPN 双极结型晶体管的基本开关/驱动器电路的相应普及。这种配置允许微控制器输出引脚安全、方便地控制高电流负载。下图描述了...

分类：电源技术 时间：2023-12-13 阅读：620 关键词：驱动器

ADI - BJT电流镜

本实验的目的是研究双极性结型晶体管(BJT)电流源或电流镜。电流源的重要特性包括：在宽顺从电压范围保持高输出阻抗、能抑制外部变化（如电源或温度）的影响。　　背景知识　　电流镜是一种电路模块，通过复制输出端...

分类：元器件应用 时间：2020-12-23 阅读：704 关键词：ADI - BJT电流镜电流镜

双极性结型晶体管（BJT）电流源或电流镜研究

本实验的目的是研究双极性结型晶体管（BJT）电流源或电流镜。电流源的重要特性包括：在宽顺从电压范围保持高输出阻抗、能抑制外部变化（如电源或温度）的影响。　　背景知识　　电流镜是一种电路模块，通过复制输出...

分类：元器件应用 时间：2020-10-15 阅读：843 关键词：双极性结型晶体管（BJT）电流源或电流镜研究晶体管

深入浅出常用元器件系列——BJT

一.晶体管主要参数晶体管主要参数我们在课本上都学习过，这里不多说。只是提醒几个容易忽略的问题。1.发射结反向电压，这是晶体管的一个极限参数，也就是说如果这个参数超额使用晶体管很容易损坏。在datasheet中这个...

分类：元器件应用 时间：2016-06-20 阅读：2307 关键词：深入浅出常用元器件系列——BJT

优化低成本BJT开关方案 满足DoE和CoC新效率标准

众所周知，与MOSFET相比，双极性结式晶体管(BJT)在成本上有很大的优势。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情况下，当功率级提高到3W以上时，BJT中的开关损失可能就会成为大问题。 Power I...

分类：电源技术 时间：2015-01-28 阅读：2193 关键词：优化低成本BJT开关方案 满足DoE和CoC新效率标准BJT开关方案 DoE

小功率BJT管脚管型自动判别电路设计

摘要：本设计采用单片机AT89C2051 作为中心控制单元，设计出了自动判别三极管管脚、类型的电路。该电路能迅速自动识别常见中小功率三极管的管型和管脚，并由相应的指示电路显示出判断结果。电路相对较简单，测试方便...

分类：单片机与DSP 时间：2012-04-20 阅读：5262 关键词：小功率BJT管脚管型自动判别电路设计

什么叫双极结型晶体管（BJT）

双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射...

分类：元器件应用 时间：2008-05-28 阅读：4442 关键词：什么叫双极结型晶体管（BJT）晶体管

Onsemi 推出11个新型低饱和电压BJT

安森美半导体（Onsemi）宣布，进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管（BJT）产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。这些备有多种封装选择的新器件采用先进硅技术，与传统B

分类：电源技术 时间：2007-12-06 阅读：1612 关键词：Onsemi 推出11个新型低饱和电压BJTSOT-23SC-74SOT-563TSOP-6

安森美推出全新系列高性能VCE（sat）BJT

全球领先的分立器件供应商，安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出全新系列的高性能VCE(sat)双极结晶体管(BJT)，该产品降低电路总成本，并为各种便携式应用如手机、PDA、媒体播放器、笔记本...

分类：元器件应用 时间：2007-12-05 阅读：1469 关键词：安森美推出全新系列高性能VCE（sat）BJTNSS35200MR6T1GNSS30100LT1GNSS35200CF8T1GNSS30101LT1GNSS20300MR6T1GNSS12200WT1GNSS30201MR6T1GNSS30070MR6T1GNSS30071MR6T1GNSS20201MR6T1GSEMICONDUCTORNSS40400CF8T1G

安森美半导体推出11个新型低饱和电压BJT

全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体（ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管（BJT）产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-

分类：电源技术 时间：2007-10-19 阅读：1867 关键词：安森美半导体推出11个新型低饱和电压BJTSOT-23SC-74SOT-563TSOP-6

BJT的三个端点

BJT有三个端点，分别为：集电极(C)、基极(B)、发射极(E)。在一个npn晶体管中，电流会从集极流至射极，如果集极-射极偏压(VCE)大于等于某一个正电压(例如，0.2V的饱和电压)，且基极-射极偏压(VBE)大于0.6V或更多一些...

分类：元器件应用 时间：2007-04-29 阅读：1568 关键词：BJT的三个端点