MOS集成电路技术资料-维库电子市场网

MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。 MOS...

分类：元器件应用时间：2022-04-22 阅读：708 关键词：MOS管

1.使用TTL电路时应注意的事项 ①TTL集成电路不像CMOS集成电路那样有较宽的电源电压范围，它的电压范围很窄一般为4.5～5.5V。典型值Vcc=5V，使用时Vcc不得超出范围。②输入信号不得高于Vcc，也不得低于地（GND）电...

分类：元器件应用时间：2021-09-16 阅读：862 关键词：CMOS集成电路使用注意事项CMOS

在集成电路的设计中，电阻器不是主要的器件，却是必不可少的。如果设计不当，会对整个电路有很大的影响，并且会使芯片的面积很大，从而增加成本。　　目前，在设计中使用...

分类：元器件应用时间：2020-07-27 阅读：888 关键词：CMOS集成电路设计中如何在物理层上实现电阻的设计集成电路,电阻

由于TTL的低电平输入电流1.6mA，而CMOS的低电平输出电流只有1.5mA，因而一般都得加一个接口电路。这里介绍一种采用单电源的接口电路。在附图1中，门II起接口电路的作用，是...

时间：2019-08-08 阅读：1309 关键词：集成电路

为适应VLSI集成密度和工作速度的不断提高，新颖的集成电路NSD保护电路构思不断出现。本文将对ESD失效模式和失效机理进行了介绍，着重从工艺、器件和电路3个层次论述ESD保护...

时间：2014-09-11 阅读：7836 关键词：CMOS集成电路中ESD保护技术分析CMOS集成电路ESD保护技术VLSI集成密度集成电路 ESD

所有MOS集成电路（包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路）都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm50nm80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护...

分类：元器件应用时间：2009-11-18 阅读：3371 关键词：怎样正确使用MOS集成电路集成电路

随着芯片特征尺寸的缩小和电路复杂程度的增加，有阻开路和有阻桥接缺陷的数目也在增加。同时，随着器件密度、复杂性和时钟速度的增加，逻辑测试技术已不能提供足够的故障覆盖率。为了弥补传统测试方法的不足，基于静...

分类：传感技术时间：2009-11-14 阅读：2828 关键词：CMOS集成电路瞬态电流片外电流传感器电路CLC449集成电路传感器

(1)p阱工艺实现CMOS电路的工艺技术有多种。CMOS是在PMOS工艺技术基础上于1963年发展起来的，因此采用在n型衬底上的p阱制备NMOS器件是很自然的选择。由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属(铝)栅与衬底的功函数差，使...

分类：其它时间：2007-04-29 阅读：4791 关键词：CMOS集成电路工艺体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择1963

价电子在获得一定能量(温度价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后,即可脱原升高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚,成为自由电子(带子核的束缚,成为自由电子(带负电),同时共价键中留下一个负电),同时共价键中留下...

分类：PCB技术时间：2007-04-29 阅读：1501 关键词：Design of VLSI CMOS集成电路的物理结构

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