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PN结的三种状态应用电路

分类：电源技术 时间：2024-05-09 阅读：0

PN结的基础知识

N型材料与P型材料的结合形成二极管，会形成PN结，那么是怎么形成的呢？ 硅掺杂少量锑时，就是 N 型半导体材料，当硅材料掺杂少量硼时，会形成 P 型半导体材料。 本身他们的作用都很小，通俗一点讲就是中性的，...

分类：电源技术 时间：2023-06-15 阅读：810 关键词：PN结

一文详解肖特基二极管和PN结二极管的选型

二极管选型相对简单，相信每个硬件工程师，都有对比过肖特基二极管与PN结二极管的差异。 差异无非有以下结果： 表中参数，看看就好，并不严格，知道二者之间的相对大小就行了。 了解了上面参数，基本就知...

分类：元器件应用 时间：2021-05-10 阅读：716 关键词：二极管肖特基二极管

实验：PN结电容与电压的关系

PN结电容　　增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配，形成耗尽区或耗尽层（图1中的W）。这个耗尽层充当电容的两个导电板之间的绝缘体。这个W层的厚度与施加的电场和掺杂浓度呈函数关系。PN结电容分...

分类：其它 时间：2019-11-25 阅读：661 关键词：电容

pn结的形成-形成PN结的原理

PN结及其形成过程　　在杂质半导体中， 正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。　　1、载流子的浓度差产生的多子的扩散运动　　在P型半导体和N型半导体结合后，在它们的交界处就出现了电子和空穴...

分类：基础电子 时间：2008-10-21 阅读：10626

半导体pn结物理特性-pn结二极管的单向导电性

PN结的单向导电性　　PN结在外加电压的作用下，动态平衡将被打破，并显示出其单向导电的特性。　　1、外加正向电压　　当PN结外加正向电压时，外电场与内电场的方向相反，内电场变弱，结果使空间电荷区（PN结）变窄...

分类：元器件应用 时间：2008-10-21 阅读：10335 关键词：半导体二极管

pn结二极管-pn结击穿电压

pn结二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流。不同材料的pn结二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微...

分类：元器件应用 时间：2008-10-21 阅读：4436 关键词：电压二极管

PN结的构成

把一块半导体硅片或锗片，通过一定的工艺方法，一边做成P型半导体，另一边做成N型半导体，在两者交界处就会形成一个薄层，这个薄层就是PN结，如图一(a)所示"这个PN结有一个很特别的性能，就是有单方向导电的能力。　...

分类：基础电子 时间：2008-04-22 阅读：2972

二极管的PN结

二极管是一块P型半导体和一块N型半导体紧密地结合在一起而构成的。在它们的交界面上形成一个界面，这个界面就称PN结。如图3-47所示。在P型与N型半导体上各加上一根引线，然后进行封装，便构成一个二极管。其P型半导...

分类：基础电子 时间：2008-04-07 阅读：4123 关键词：二极管

PN结相关知识介绍

均匀掺杂的半导体只有很少的应用。几乎所有的固态器件都是由多个P型和N型区域组合而成。P型和N型区域之间的交界面就被称为PN结，或简单的称为结。 .8A中是两片硅。左边是一块P型硅，右边则是一块N型硅。只要他们之间...

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1790

PN结耗尽区研究

结两边过剩的少数载流子有2个效应。个，载流子建立了一个电场。N型硅中过剩的空穴使它带正电，P型硅中过剩的电子则使它带负电。这样就沿着PN结建立了一个N区高电位，P区低电位的电场。 当载流子沿着结扩散时，同时产...

分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：4217