自从宽带隙材料被引入各种制造技术以来,通过使用MOSFET、晶闸管和 SCR等功率半导体器件就可以实现高效率。为了优化可控制造技术,可以使用特定的导通电阻来控制系统中的大部分功率器件。对于功率 MOSFET,导通电阻...
CISSOID - SiC助力功率半导体器件的应用结温升高,将大大改变电力系统的设计格局
Yole Development 的市场调查 表明,自硅功率半导体器件诞生以来,应用的需求一直推动着结温升高,目前已达到150℃。随着第三代宽禁带半导体器件(如SiC)出现以及日趋成熟和全面商业化普及,其独特的耐高温性能正...
电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情,比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或...
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等之后迅速发...
刚刚过去的2015年,可以用惨淡二字来形容整个半导体市场,Gartner分析指出,受手机、电脑等主要电子产品需求疲弱、美元强势及库存升高等因素的影响,2015年全球半导体总营收预估为3,337亿美元,较2014年的3,403亿...
半导体器件损坏的特点二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路,其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现:一是热稳定性变差,表现为开机时正常,工作一段时间后,发生软击穿;另一种是PN结的特性变差。(更多半导体...
太阳能逆变器是整个太阳能发电系统的关键组件。它把光伏单元可变的直流电压输出转换为清洁的50Hz或60Hz的正弦电压源,从而为商用电网或本地电网供电。因为太阳电池板的光电...
GBT 17574.11-2006 半导体器件 集成电路 第2-11部分:数字集成电路 单电源集成电路电可擦可编程只读存
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GBT 18904.5-2003; 半导体器件 第12-5部分 光电子器件 纤维光学系统或子系统用带 不带尾纤的pin光
GBT18904.5-2003;半导体器件第12-5部分光电子器件纤维光学系统或子系统用带不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改,建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址:http://www.ying
GB-T 18904.5-2003 半导体器件 第12-5部分 光电子器件 纤维光学系统或子系统用带 不带尾纤的pin光
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abbr_5_半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范.exe
abbr_5_半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改,建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址:http://www.yinghuochong.com/disk/
GBT 13150-2005 半导体器件分立器件电流大于100A、环境和半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额
GBT13150-2005半导体器件分立器件电流大于100A、环境和半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改,建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址...
GB-T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极
GB-T6352-1998半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改,建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址:http://www.y...
GB-T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸
GB-T6590-1998半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改,建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址:http://www.yin...