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场效应管的偏置电路

为保证场效应管能起到正常的放大作用，和半导体三极管一样，也要预先给它设置合适的静态工作点。为了减少电源的种类，栅极的偏差一般都采用自给偏压的方法来供给。典型的自给偏压电路 　　典型的自给偏差电路如图...

分类：元器件应用 时间：2008-04-23 阅读：2957 关键词：场效应管的偏置电路

场效应管其他参数

①极间电容。场效应管的三个电极间都存在着极间电容,即栅源电容CGS、栅漏电容CGD和源漏电容CDS。CGS和CGD一般为1~3PF，CDS约为0.1~1pF②漏源最大电流IDM。它是指场效应管漏源极的允许通过的最大电流。③场效应管耗散...

分类：元器件应用 时间：2008-04-23 阅读：1473 关键词：场效应管其他参数

场效应管微变参数

1.跨导gm　　在漏源电压UDS一定时，漏极电流ID的微量变化和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导，即 　　跨导是衡量场效应管栅源电压uc，对漏极电流ID控制能力的一个参数，也定衡...

分类：元器件应用 时间：2008-04-23 阅读：1588 关键词：场效应管微变参数

场效应管的主要特性参数

一、直流参数1.夹断电压UP在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。2.开启电压UT在UDS为某一固定值的条件下...

分类：元器件应用 时间：2008-04-23 阅读：1840 关键词：场效应管的主要特性参数

V-MOS场效应管

1.V-MOS场效应管的结构　　V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散，然后利用硅的各向异性刻蚀技术，刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引出，源极及栅极在V形槽...

分类：元器件应用 时间：2008-04-23 阅读：3338 关键词：V-MOS场效应管

绝缘栅型场效应管（MOS管）

1.绝缘栅型场效应管的结构　　绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于，它的栅极是从SiO2上引出的，栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此，绝缘栅型场效应管的输入电阻极高，...

分类：元器件应用 时间：2008-04-23 阅读：11384 关键词：绝缘栅型场效应管（MOS管）

结型场效应管的特性

(1)转移特性　　栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性，若用曲线表示，该曲线就称为转移特性曲线。它的定义是:漏极电压UDS恒定时，漏极电流ID同栅极电压UGS的关系，即 　　结...

分类：元器件应用 时间：2008-04-23 阅读：6071 关键词：结型场效应管的特性

结型场效应管的结构

这里以N沟道结型场效应管为例，说明结型场效应管的结构及基本工作原理。图为N沟道结型场效应管的结构示意图。在一块N型硅，材料(沟道)上引出两个电极，分别为源极(S)和漏极(D)。在它的两边各附一小片P型材料并引出一...

分类：元器件应用 时间：2008-04-23 阅读：4232 关键词：结型场效应管的结构

场效应管的介绍

场效应管是一种带有PN结的新型半导体器件，场效应管与半导体三极管的控制机理不同，它是一种电压控制器件,即利用电场效应来控制管子的电流，故命名为场效应管(用FET表示)。目前场效应管的品种很多，但可划分为两大类...

分类：基础电子 时间：2008-04-23 阅读：1812 关键词：场效应管的介绍

场效应管使用的介绍

1)由于MOS场效应管的输人电阻非常高，容易造成感应电压过高而击穿。在焊接时，不论是将管子焊到电路上，还是从电路上取下来，应先将各极短路，并先焊漏、源极，后焊栅极。还应注意把电烙铁地线接好，或者断开电源，...

分类：基础电子 时间：2008-04-10 阅读：1803 关键词：场效应管使用的介绍

结型场效应管的栅极及其好坏应如何判断

(1)结型场效应管栅极的判断用万用表的Rx1k挡，将黑表笔接触管子的一个极，用红表笔分别接触另外两个电极，若两次测得的阻值都很小，则黑表笔所接的电极就是栅极，而且是N型沟道场效应管。如果红表笔接触一个电极，用...

分类：元器件应用 时间：2008-04-10 阅读：2789 关键词：结型场效应管的栅极及其好坏应如何判断

场效应管的主要参数

1)夹断电压，U(GS)使漏电流接近于零时，此时栅极上所加的偏压就称夹断电压 (此参数是对耗尽型而言)。　　2 )饱和漏电流I(DSS)，当栅压为零时，漏极电流的饱和值。　　3)直流输人电阻R(GS)，对于结型场效应管是指栅源...

分类：元器件应用 时间：2008-04-08 阅读：2053 关键词：场效应管的主要参数

DNA场效应管传感器的分子设计

分子生物学技术的迅速发展，给临床医学诊断以巨大的影响，与疾病相关的DNA片段的检测即“基因诊断”成为一种新兴的临床诊断方法，加之本世纪内能与阿波罗登月计划媲美的人类基因组计划的完成和其它相关技术的发展，...

分类：传感技术 时间：2008-01-29 阅读：1737 关键词：DNA场效应管传感器的分子设计

定性判断场效应管、三极管的好坏

一、定性判断场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接...

分类：元器件应用 时间：2007-08-01 阅读：1767 关键词：定性判断场效应管、三极管的好坏

用深度反转层反馈晶体管测量场效应管阈值电压

传统上，采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区。由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄，而凹形衬底又是高度掺杂的，因此场...

分类：工业电子 时间：2007-05-25 阅读：1632 关键词：用深度反转层反馈晶体管测量场效应管阈值电压

场效应管参数符号

Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流

分类：电源技术 时间：2007-04-29 阅读：9944 关键词：场效应管参数符号

利用场效应管驱动的定时闪光电路

分类：其它 时间：2007-04-29 阅读：1215 关键词：利用场效应管驱动的定时闪光电路

MOS场效应管

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有

分类：模拟技术 时间：2007-04-19 阅读：2473 关键词：MOS场效应管