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IRFD220 Datasheet

  • IRFD220

  • 0.8A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

  • 51.94KB

  • Intersil

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IRFD220
Source to Drain Diode Speci铿乧ations
PARAMETER
Continuous Source to Drain Current
Pulse Source to Drain Current
(Note 3)
SYMBOL
I
SD
I
SDM
TEST CONDITIONS
Modified MOSFET
Symbol Showing the
Integral Reverse P-N
Junction Diode
G
D
MIN
-
-
TYP
-
-
MAX
0.8
6.4
UNITS
A
A
S
Source to Drain Diode Voltage (Note 2)
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
NOTES:
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C, I
SD
= 0.8A, V
GS
= 0V (Figure 12)
T
J
= 150
o
C, I
SD
= 0.8A, dI
SD
/dt = 100A/碌s
T
J
= 150
o
C, I
SD
= 0.8A, dI
SD
/dt = 100A/碌s
-
-
-
-
150
0.6
2.0
-
-
V
ns
碌C
2. Pulse test: pulse width
鈮?/div>
300碌s, duty cycle
鈮?/div>
2%.
3. Repetitive rating: pulse width limited by Max junction temperature.
4. V
DD
= 25V, starting T
J
= 25
o
C, L = 12.62mH, R
G
= 50鈩? peak I
AS
= 3.5A.
Typical Performance Curves
1.2
POWER DISSIPATION MULTIPLIER
1.0
0.8
Unless Otherwise Speci铿乪d
1.0
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
0
25
50
75
100
125
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
150
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0
0.2
0
25
50
75
100
125
150
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
AMBIENT TEMPERATURE
10
10
V
GS
= 10V
V
GS
= 7V
PULSE DURATION = 80碌s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 6V
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
1
10碌s
100碌s
1ms
10ms
100ms
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r
DS(ON)
T
C
= 25
o
C
T
J
= MAX RATED
1
10
10
2
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
3
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
8
6
0.1
4
V
GS
= 5V
0.01
1s
DC
2
V
GS
= 4V
0
0
20
40
60
80
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
100
0.001
FIGURE 3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 4. OUTPUT CHARACTERISTICS
4-289

IRFD220 产品属性

  • IRFD220

  • 2,500

  • 分离式半导体产品

  • FET - 单

  • -

  • MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 标准型

  • 200V

  • 800mA

  • 800 毫欧 @ 480mA，10V

  • 4V @ 250µA

  • 14nC @ 10V

  • 260pF @ 25V

  • 1W

  • 通孔

  • 4-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

  • 管件

  • *IRFD220

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    版本
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