IRFD220 Datasheet

  • IRFD220

  • 0.8A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

  • 51.94KB

  • Intersil

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IRFD220
Typical Performance Curves
5
gfs , TRANSCONDUCTANCE (S)
PULSE DURATION = 80碌s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Unless Otherwise Speci铿乪d
(Continued)
10
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
I
SD
, SOURCE TO DRAIN CURRENT (A)
PULSE DURATION = 80碌s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
1
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
0.1
0
1
2
3
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
FIGURE 11. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 12. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
20
I
D
= 0.8A
V
GS
, GATE TO SOURCE (V)
V
DS
= 40V
V
DS
= 100V
10
V
DS
= 160V
15
5
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
FIGURE 13. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Test Circuits and Waveforms
V
DS
t
P
I
AS
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
+
BV
DSS
L
V
DS
V
DD
V
DD
0V
I
AS
0.01鈩?/div>
0
t
AV
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
4-291

IRFD220 产品属性

  • IRFD220

  • 2,500

  • 分离式半导体产品

  • FET - 单

  • -

  • MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 标准型

  • 200V

  • 800mA

  • 800 毫欧 @ 480mA,10V

  • 4V @ 250µA

  • 14nC @ 10V

  • 260pF @ 25V

  • 1W

  • 通孔

  • 4-DIP(0.300",7.62mm)

  • 4-DIP,Hexdip,HVMDIP

  • 管件

  • *IRFD220

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