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FDD8874

更新时间:2025-07-04 12:14:24

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香港晨兴安富利电子有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市言信微科技有限公司
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深圳市晶美隆科技有限公司
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深圳市赛思尔科技有限公司
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深圳市永贝尔半导体有限公司
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斯耐尔（深圳）科技有限责任公
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深圳市誉辉天成电子有限公司
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深圳市瑞新盛科技有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市楚胜电子有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳市亿科泰电子科技有限公司
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仙童
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市捷立辉科技有限公司
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Onsemi 华南区实力现货分销商

深圳市英科美电子有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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海芯未来半导体电子（深圳）有
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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FDD8874 概述

FDD8874是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用Power56封装，具有低导通电阻和快速开关特性，典型Rds(on)值为12.5mΩ（Vgs = 10V时）。其最大漏源电压Vds为30V，连续漏极电流Id为60A。适用于高效DC-DC转换器、负载开关、电源管理等应用场合。在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统中表现出色，能够有效提高系统效率并减少功率损耗。设计电路时应注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，并合理布局PCB以优化散热性能。

FDD8874 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
116A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.1 毫欧 @ 35A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2990pF @ 15V
功率 - 最大
110W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)

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