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FDJ129P

更新时间:2023-11-24 06:39:18
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FDJ129P的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：70 毫欧 @ 4.2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：780pF @ 10V
  • 功率 - 最大：1.6W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC75-6 FLMP
  • 供应商设备封装：SC-75
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FDJ129PTRFDJ129P_NLFDJ129P_NLTRFDJ129P_NLTR-ND
FDJ129P 相关信息
  • 飞兆半导体公司推出新型P沟道MOSFET器件
    飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P，为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势，这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及数码相机等。FDJ129P在紧凑的SC75 FLMP(倒装引脚铸模封装)中结合了飞兆半导体的高性能PowerTrench 技术，结果可以带来比SSOT-6 或TSOP-6封装所提供同类MOSFET器件减少60...
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