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FDMA410NZ

更新时间:2025-06-19 21:11:10

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市高胜电子有限公司
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9000
ON
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进口原装现货

深圳市昌鸿誉科技有限公司
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认证现货
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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9000
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VBSEMI/台湾微碧
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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专注电子元件十年，只做原装现货

深圳市福启达科技有限公司
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深圳市讯运电子有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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上海熠富电子科技有限公司
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原装现货上海库存，欢迎咨询

深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳中和芯电子有限公司
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只做现货，一站式配单

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ON SEMICONDUCTOR
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深圳市力拓辉电子有限公司
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ON SEMICONDUCTOR
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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70000
ON
QFN/2024+
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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深圳市华美锐电子有限公司
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FDMA410NZ

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET

封装:6-WDFN 裸露焊盘

FDMA410NZ 概述

FDMA410NZ是由安森美半导体生产的一款N沟道MOSFET，采用先进的PowerTrench工艺制造。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，在小型DFN封装中提供高性能表现。其典型应用包括负载开关、电源管理以及电池保护电路等领域。在便携式电子设备如智能手机和平板电脑中，FDMA410NZ常被用作高效能的电源控制元件。由于其紧凑的尺寸（2mm x 2mm）和优秀的热性能，非常适合空间受限的设计环境。使用时应注意遵循制造商提供的最大电压和电流限制，确保不超过额定值以防止损坏。在PCB布局上，要特别注意散热设计和走线宽度，以减少功率损耗并提高整体效率。对于需要高速切换的应用，建议仔细评估栅极驱动电路的设计，保证MOSFET能够迅速且可靠地开启和关闭。

FDMA410NZ 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
9.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
23 毫欧 @ 9.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1080pF @ 10V
功率 - 最大
900mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
MicroFET 2x2
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDMA410NZTR

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